芯片依工藝要求,需有一定之厚度。應用研磨的方法,達到減薄的目標。研磨的第一步KA348為粗磨,目的為減薄芯片厚度到目標值(一般研磨后的厚度為250~300um,隨著芯片應用及封裝方式的不同會不一樣)。第二步為細磨,目的為消減芯片粗磨中生成的應力破壞層(一般厚度為l~2um左右)。研磨時需有潔凈水(純水)沖洗,以便帶走研磨時產生的硅粉。若有硅粉殘留,容易造成芯片研磨時的破片或產生微裂紋,在后序的I藝中造成芯片破碎的良品率問題及質量問題。同時需要注意研磨輪及研磨平臺的平整度,可能會增加芯片破片的機率(因為平整度不好會造成芯片破片)。研磨機內部示意圖。

    減薄之后.要在芯片背面貼上配合劃片使用的藍膜.才可開始劃片:藍膜需要裝在固定的金屬框架上為了增強膜對芯片的黏度.有時貼膜后須要加熱烘焙。

   芯片依照單顆大小、需要種類等,要在藍膜上切割成顆粒狀,以便于單個取出分開。劃片時需控制移動劃片刀的速度及劃片刀的轉速。不同芯片的厚度及藍膜的黏性都需要有不同的配合的劃片參數(shù),以減少劃片時在芯片上產牛的崩碎現(xiàn)象。劃片時需要用潔凈水沖洗,以便移除硅渣。切割中殘留的硅渣會破壞劃片刀具及芯片,造成良品率損失。噴水的角度及水量,都需要控制。

    一般切割刀片可以達到最小的切割寬度為40um左右。若用雷射光取代切割刀片可將切割寬度減小到20um。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必須用雷射光切割。對于厚芯片或堆疊多層芯片的切割方式,也建議使用雷射光切割。因為用一般切割刀片切割,在使用特別的刀片下,勉強可以切割∷層堆疊的芯片:昕以雷射光切割比較好c刀片劃片丁作時的照片。