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濕熱試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

發(fā)布時(shí)間:2019/5/6 20:56:20 訪問(wèn)次數(shù):2695

   濕熱試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

   目前,與元器件相關(guān)的耐濕試驗(yàn)常用標(biāo)準(zhǔn)有以下幾種:

    GJB3ωB―⒛∞《電子及電氣元件試驗(yàn)方法》中涉及濕熱試驗(yàn)的有“穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)”和“耐濕試驗(yàn)”。

   GJB548B一⒛05《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》中涉及“耐濕試驗(yàn)”。

PAL16L6CNS

   在GJB128A-1997《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》中涉及有“耐濕試驗(yàn)”。其試驗(yàn)?zāi)康氖窃u(píng)定電子元器件材料的耐濕性能。本方法是一種加速試驗(yàn)。試驗(yàn)樣品連續(xù)暴露在高溫高濕條件下便達(dá)到加速的目的。高溫高濕條件作用在試驗(yàn)樣品上,可以構(gòu)成水汽吸附、吸收和擴(kuò)散等作用。對(duì)于吸濕材料,在高溫條件下會(huì)迅速變壞,許多材料在吸潮后膨脹,性能變壞,引起物質(zhì)強(qiáng)度降低及其他主要機(jī)械性的變化,吸附了水汽的絕緣材料會(huì)引起電性能降低。

   濕熱試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

   目前,與元器件相關(guān)的耐濕試驗(yàn)常用標(biāo)準(zhǔn)有以下幾種:

    GJB3ωB―⒛∞《電子及電氣元件試驗(yàn)方法》中涉及濕熱試驗(yàn)的有“穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)”和“耐濕試驗(yàn)”。

   GJB548B一⒛05《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》中涉及“耐濕試驗(yàn)”。

PAL16L6CNS

   在GJB128A-1997《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》中涉及有“耐濕試驗(yàn)”。其試驗(yàn)?zāi)康氖窃u(píng)定電子元器件材料的耐濕性能。本方法是一種加速試驗(yàn)。試驗(yàn)樣品連續(xù)暴露在高溫高濕條件下便達(dá)到加速的目的。高溫高濕條件作用在試驗(yàn)樣品上,可以構(gòu)成水汽吸附、吸收和擴(kuò)散等作用。對(duì)于吸濕材料,在高溫條件下會(huì)迅速變壞,許多材料在吸潮后膨脹,性能變壞,引起物質(zhì)強(qiáng)度降低及其他主要機(jī)械性的變化,吸附了水汽的絕緣材料會(huì)引起電性能降低。

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