電離總劑量輻照源及試驗設(shè)備

   半導(dǎo)體器件對輻射非常敏感,為保證電子設(shè)備在特定的輻射環(huán)境下能正常I作,必須對M24512-WMN6TP它們的輻射效應(yīng)及輻射加固進(jìn)行研究。利用衛(wèi)星搭載飛行試驗的空間輻射進(jìn)行電子元器件的輻射效應(yīng)和加固技術(shù)研究具有真實性和綜合性,但受條件的限制,在試驗規(guī)模和測試的安排上等都有較大的困難,且試驗次數(shù)有限。因此,利用實驗室模擬輻射環(huán)境對電子元器件進(jìn)行各種輻射試驗研究便成為最方便和直觀的方法。

   對于半導(dǎo)體器件的電離總劑量輻照試驗,目前實驗室最常用的模擬源為l’l’C⒍Ars寸線源,另外還有X射線源和電子加速器。

   X射線與傷寸線對電子元器件的輻射損傷機理是相同的。但是由于X射線輻照存在很強的劑量增強效應(yīng)和初始電子空穴復(fù)合因素,再加上X射線輻照裝置的能譜、劑量測量都比較困難,因此,在進(jìn)行總劑量輻照試驗時,通常不會采用X射線源,而是大多采用bl Co-傷寸線源。而彐^山于ωC⒍γ射線源的能譜比X射線更好地匹配于空間射的能譜,因此,在進(jìn)行空間環(huán)境'總劑量效應(yīng)試驗中,是以sC1Co-lr射線源為主。

   60Co-俏寸線源是一種穩(wěn)態(tài)輻射源。6°Co是鈷元素的同位素,其半衰期為527年。60Co源在衰變的過程中會放出兩束俏寸線,其能量分別為1.17McV和I33McV,因此叉叫bllCo-傷寸線源。由于散射的緣赦,60Co-γ射線源的射線能譜中除L述兩種傷寸線外,還包含大量的低能成分。這些低能成分同X射線一樣,均會引起劑量增強效lll/,因此,電離總劑量試驗過程中,需要對低能散射部分進(jìn)行屏蔽。傷寸線具有極強的穿透性、射程大的優(yōu)點,這將有利于對比較厚的物體進(jìn)行總劑量試驗c60Co-γ射線源按照排列方式來分,主要可分為棒源、花籃源和板狀源二類。如圖3-5~圖3ˉ7所示是3種形狀的鈷源的示意圖。 棒源指的是由單根源棒組成的鈷源:花籃源是由多恨氵京幛△歹刂吱佗笠狀的鉆源;而板狀源指的是將多根源棒按一定的間隔距離進(jìn)行排列組哎冖勹鈷源:棒源和花籃源具有劑量分布均勻性好的特點,因此,通常稱棒源和花籃源為點源,相對的稱板狀源為面源。國內(nèi)從事鈷源輻照的單位很多,包括中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所、西北核技術(shù)研究所、北京師范大學(xué)、中國工程物理研究院等。表3-3所示為國內(nèi)主要的半導(dǎo)體器件電離總劑量輻照試驗用bOCo-俏寸線源。