進(jìn)行單粒子試驗(yàn)
發(fā)布時(shí)間:2019/5/15 20:21:02 訪問(wèn)次數(shù):8489
進(jìn)行單粒子試驗(yàn)
迸行單粒子試驗(yàn)的一般步驟如下:
(1)試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)的安裝; GAL16V8D-25LPN
(2)安裝完畢后,進(jìn)行系統(tǒng)功能驗(yàn)證,以保證系統(tǒng)的正常;
(3)靶室(真空罐)系統(tǒng)抽真空;
(4)調(diào)節(jié)樣品位置,開(kāi)始輻照試驗(yàn)。
輻照前應(yīng)獲取束流均勻性數(shù)據(jù),保證束流均勻性符合要求;輻照過(guò)程中,測(cè)試系統(tǒng)監(jiān)測(cè)被測(cè)器件發(fā)生的單粒子效應(yīng),束流測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)入射粒子的注量率及入射總注量,記錄相應(yīng)的單粒子效應(yīng)現(xiàn)象、數(shù)據(jù)和輻照時(shí)間。
在試驗(yàn)過(guò)程中,選取試驗(yàn)方案中規(guī)定的離子種類進(jìn)行試驗(yàn),所獲得的有效LET數(shù)據(jù)點(diǎn)至少為5個(gè)。
試驗(yàn)后數(shù)據(jù)處理
根據(jù)離子注量率監(jiān)測(cè)系統(tǒng)記錄的數(shù)據(jù),計(jì)算垂直入射到某一器件表面的總離子注量。繪制出單粒子翻轉(zhuǎn)或閉鎖截面隨LET值變化的關(guān)系曲線,即器件的單粒子翻轉(zhuǎn)或閉鎖響應(yīng)曲線。對(duì)重離子測(cè)試而言,如果離子入射方向與器件表面有一定的角度,則有效LET值為垂直入射時(shí)的LETt值除⒓1入射角的余弦:
如果入射角度發(fā)生變化,有效注量也隨之改變。測(cè)量到的離子注量應(yīng)當(dāng)修正,單粒子效應(yīng)截面用下式計(jì)算,Ⅳ為翻轉(zhuǎn)數(shù),¢為垂直于離子束測(cè)量到的離子注量。
然后根據(jù)得到的單粒子事件截面淌入射離子LET的關(guān)系曲線,以及器件實(shí)際使用的宇航空間輻射環(huán)境參數(shù),進(jìn)行在軌單粒子事件率的預(yù)估。目前國(guó)內(nèi)外常用的在軌單粒子事件率預(yù)計(jì)的軟件有spacc radiatioll和CR它ME軟件等。
圖3-21所示為國(guó)外某型號(hào)DAC的單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)點(diǎn),以及采用威布爾函數(shù)(W⒍bu11)擬合得到的單粒子效應(yīng)全截面曲線。
進(jìn)行單粒子試驗(yàn)
迸行單粒子試驗(yàn)的一般步驟如下:
(1)試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)的安裝; GAL16V8D-25LPN
(2)安裝完畢后,進(jìn)行系統(tǒng)功能驗(yàn)證,以保證系統(tǒng)的正常;
(3)靶室(真空罐)系統(tǒng)抽真空;
(4)調(diào)節(jié)樣品位置,開(kāi)始輻照試驗(yàn)。
輻照前應(yīng)獲取束流均勻性數(shù)據(jù),保證束流均勻性符合要求;輻照過(guò)程中,測(cè)試系統(tǒng)監(jiān)測(cè)被測(cè)器件發(fā)生的單粒子效應(yīng),束流測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)入射粒子的注量率及入射總注量,記錄相應(yīng)的單粒子效應(yīng)現(xiàn)象、數(shù)據(jù)和輻照時(shí)間。
在試驗(yàn)過(guò)程中,選取試驗(yàn)方案中規(guī)定的離子種類進(jìn)行試驗(yàn),所獲得的有效LET數(shù)據(jù)點(diǎn)至少為5個(gè)。
試驗(yàn)后數(shù)據(jù)處理
根據(jù)離子注量率監(jiān)測(cè)系統(tǒng)記錄的數(shù)據(jù),計(jì)算垂直入射到某一器件表面的總離子注量。繪制出單粒子翻轉(zhuǎn)或閉鎖截面隨LET值變化的關(guān)系曲線,即器件的單粒子翻轉(zhuǎn)或閉鎖響應(yīng)曲線。對(duì)重離子測(cè)試而言,如果離子入射方向與器件表面有一定的角度,則有效LET值為垂直入射時(shí)的LETt值除⒓1入射角的余弦:
如果入射角度發(fā)生變化,有效注量也隨之改變。測(cè)量到的離子注量應(yīng)當(dāng)修正,單粒子效應(yīng)截面用下式計(jì)算,Ⅳ為翻轉(zhuǎn)數(shù),¢為垂直于離子束測(cè)量到的離子注量。
然后根據(jù)得到的單粒子事件截面淌入射離子LET的關(guān)系曲線,以及器件實(shí)際使用的宇航空間輻射環(huán)境參數(shù),進(jìn)行在軌單粒子事件率的預(yù)估。目前國(guó)內(nèi)外常用的在軌單粒子事件率預(yù)計(jì)的軟件有spacc radiatioll和CR它ME軟件等。
圖3-21所示為國(guó)外某型號(hào)DAC的單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)點(diǎn),以及采用威布爾函數(shù)(W⒍bu11)擬合得到的單粒子效應(yīng)全截面曲線。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 砂塵濃度
- 單粒子效應(yīng)截面
- 機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法
- 間斷工作壽命試驗(yàn)是對(duì)產(chǎn)品間斷地施加應(yīng)力
- 沖擊響應(yīng)譜按照響應(yīng)峰值取法不同分為以下幾種
- 進(jìn)行單粒子試驗(yàn)
- 單粒子鎖定效應(yīng)測(cè)試方法
- 根據(jù)有關(guān)文件確定試件的技術(shù)狀態(tài)
- 使試件穩(wěn)定在規(guī)定的溫度
- 鹽霧試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
推薦技術(shù)資料
- 羅盤(pán)誤差及補(bǔ)償
- 造成羅盤(pán)誤差的主要因素有傳感器誤差、其他磁材料干擾等。... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究