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保證入射粒子在芯片中具有足夠的射程

發(fā)布時(shí)間:2019/5/15 20:18:54 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):2065

    試驗(yàn)前的準(zhǔn)備工作

   1)樣品的準(zhǔn)各

    由于重離子加速器加速的離子的能量和射程的原因,進(jìn)行單粒子試驗(yàn)的樣品在試驗(yàn)前應(yīng)進(jìn)行開(kāi)帽。 GAL16V8D-25LPN如果被測(cè)器件的芯片表面具有保護(hù)層,應(yīng)該去除這種保護(hù)層,以保證入射粒子在芯片中具有足夠的射程。為防止芯片在開(kāi)帽過(guò)程中損壞,開(kāi)帽后的樣品應(yīng)該進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,只有測(cè)試合格的樣品才能進(jìn)行單粒子試驗(yàn)。

   2)電纜及試驗(yàn)測(cè)試板的準(zhǔn)各

    單粒子試驗(yàn)通常在真空罐中進(jìn)行,試驗(yàn)時(shí),需要通過(guò)電纜和真空密封插頭將試驗(yàn)測(cè)試板與外部的測(cè)試系統(tǒng)連接。試驗(yàn)板和電纜需要滿(mǎn)足以下條件:

   (l)試驗(yàn)板和電纜的尺寸、質(zhì)量滿(mǎn)足真空罐的要求;

   (2)連接電纜滿(mǎn)足真空罐的硬件接口要求;

   (3)試驗(yàn)板和電纜不含吸附氣體嚴(yán)重的材料;

   (4)試驗(yàn)板的安裝孔位符合真空罐的要求;

   (5)保證試驗(yàn)板上的除被測(cè)器件外的其他元器件不受輻照的影響;

   (6)試驗(yàn)板和電纜具備良好的抗電磁千擾能力。


    試驗(yàn)前的準(zhǔn)備工作

   1)樣品的準(zhǔn)各

    由于重離子加速器加速的離子的能量和射程的原因,進(jìn)行單粒子試驗(yàn)的樣品在試驗(yàn)前應(yīng)進(jìn)行開(kāi)帽。 GAL16V8D-25LPN如果被測(cè)器件的芯片表面具有保護(hù)層,應(yīng)該去除這種保護(hù)層,以保證入射粒子在芯片中具有足夠的射程。為防止芯片在開(kāi)帽過(guò)程中損壞,開(kāi)帽后的樣品應(yīng)該進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,只有測(cè)試合格的樣品才能進(jìn)行單粒子試驗(yàn)。

   2)電纜及試驗(yàn)測(cè)試板的準(zhǔn)各

    單粒子試驗(yàn)通常在真空罐中進(jìn)行,試驗(yàn)時(shí),需要通過(guò)電纜和真空密封插頭將試驗(yàn)測(cè)試板與外部的測(cè)試系統(tǒng)連接。試驗(yàn)板和電纜需要滿(mǎn)足以下條件:

   (l)試驗(yàn)板和電纜的尺寸、質(zhì)量滿(mǎn)足真空罐的要求;

   (2)連接電纜滿(mǎn)足真空罐的硬件接口要求;

   (3)試驗(yàn)板和電纜不含吸附氣體嚴(yán)重的材料;

   (4)試驗(yàn)板的安裝孔位符合真空罐的要求;

   (5)保證試驗(yàn)板上的除被測(cè)器件外的其他元器件不受輻照的影響;

   (6)試驗(yàn)板和電纜具備良好的抗電磁千擾能力。


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