GJB4027《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》詳細給出了電子元器件16大類,49小類產品DR⒋試驗中對內部目檢(如需要)的試驗方法。D1213A-04S-7在鑒定檢驗的過程中,元件類產品的內部目檢試驗方法主要由相應產品總規(guī)范和詳細規(guī)范具體規(guī)定,器件類產品的內部目檢試驗方法主要參考GJB548及GJB128的相關條款進行,并按照產品詳細規(guī)范具體執(zhí)行。

   GJB548主要針對微電子器件。其中方法⒛1o中給出了集成電路(單芯片)內部目檢的詳細規(guī)定。方法2013針對破壞性物理分析(D⒕)程序中的內部日檢給出了DP~A的內部目檢,其主要日的是打開器件的外殼進行試驗后的器件檢查,以證實在以前的試驗中沒有產生缺陷和損壞。方法2014給出了內部目檢和結構檢查的詳細規(guī)定,該方法的目的是驗證內部材料、設計和結構是否符合適用的訂購文件的要求,通常是在對特定器件型號進行鑒定或質量一致性檢驗時,采用抽樣的方式進行,以證明是否與訂購文件一致,并暴露未文件規(guī)定的元件型號的變更。方法2017給出了混合集成電路內部目檢的詳細規(guī)定,其目的是檢查混合集成電路、多芯片微電路和多芯片組件微電路的內部材料、結構和制造工藝。方法2o32給出了無源元仵的目檢的詳細規(guī)定,該方法的目的是檢查微電子器件(包括射頻/微波)中采用的無源元件是否存在該方法中所述的相關缺陷。

    GJB128主要針對半導體分立器件。其中方法2"2給出了晶體管內部目檢(封帽前)的詳細規(guī)定,該方法的目的是驗證雙極型晶體管、場效應晶體管、分立單片、多芯片和多結器件的結構和工藝。本檢驗不包括微波和某些選擇的射頻器件,該檢驗在封帽或包封前完成是為了檢測器件內部將導致器件在正常使用下失效的缺陷,以及驗證器件與適用的詳細規(guī)范的要求是否一致。方法2o73給出了芯片目檢(半導體二極管)的詳細規(guī)定,該方法的目的是檢驗半導體芯片質量及加工質量是否符合詳細規(guī)范的要求。方2o74給出了內部目檢(半導體二極管)的詳細規(guī)定,該方式的目的是檢驗半導體二極管及該方法中所描述的其他兩端引出半導體器件的材料、設計、結構及加工質量是否符合要求。方法⒛75給出了開帽內

部設計目檢的詳細規(guī)定,該方法的目的是驗證設計和結構是否符合己獲鑒定批準的設計鑒定報告中有關丈件的規(guī)定,該方法通常用抽樣方法在規(guī)定類型器件鑒定或質量一致性檢驗時使用。