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評(píng)價(jià)在半導(dǎo)體器件或微電各芯片中鋁金屬化層上淀積的介質(zhì)薄膜

發(fā)布時(shí)間:2019/5/24 19:41:23 訪問(wèn)次數(shù):14929

   玻璃鈍化層完整性栓查主要是對(duì)玻璃鈍化層中的裂縫、空洞和針孔進(jìn)行評(píng)估,其日的是評(píng)價(jià)在半導(dǎo)體器件或微電各芯片中鋁金屬化層上淀積的介質(zhì)薄膜(如化學(xué)汽相淀積、濺射或電子束蒸發(fā)形成的玻璃鈍化層或氮化物等)的結(jié)構(gòu)質(zhì)量,用來(lái)鑒別與工藝和材料有關(guān)的玻璃鈍化層缺陷,這些缺陷會(huì)造成局部污染物堆積并使玻璃鈍化的器件失去抗電遷移的優(yōu)越性。本試驗(yàn)為破壞性試驗(yàn)。

G5V-2-DC5V

   試驗(yàn)標(biāo)硅

   玻璃鈍化層完整性檢查參考標(biāo)準(zhǔn)主要為GJB548方法⒛21。

   試驗(yàn)儀器

   本試驗(yàn)所需設(shè)備包括保證操作人員安全所需的適當(dāng)?shù)臉悠诽幚砗突瘜W(xué)腐蝕裝置,還包括GJB548方法⒛10中所采用的標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)顯微鏡,以及腐蝕用的標(biāo)準(zhǔn)試劑和其他化學(xué)藥品等。

 

   玻璃鈍化層完整性栓查主要是對(duì)玻璃鈍化層中的裂縫、空洞和針孔進(jìn)行評(píng)估,其日的是評(píng)價(jià)在半導(dǎo)體器件或微電各芯片中鋁金屬化層上淀積的介質(zhì)薄膜(如化學(xué)汽相淀積、濺射或電子束蒸發(fā)形成的玻璃鈍化層或氮化物等)的結(jié)構(gòu)質(zhì)量,用來(lái)鑒別與工藝和材料有關(guān)的玻璃鈍化層缺陷,這些缺陷會(huì)造成局部污染物堆積并使玻璃鈍化的器件失去抗電遷移的優(yōu)越性。本試驗(yàn)為破壞性試驗(yàn)。

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   試驗(yàn)標(biāo)硅

   玻璃鈍化層完整性檢查參考標(biāo)準(zhǔn)主要為GJB548方法⒛21。

   試驗(yàn)儀器

   本試驗(yàn)所需設(shè)備包括保證操作人員安全所需的適當(dāng)?shù)臉悠诽幚砗突瘜W(xué)腐蝕裝置,還包括GJB548方法⒛10中所采用的標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)顯微鏡,以及腐蝕用的標(biāo)準(zhǔn)試劑和其他化學(xué)藥品等。

 

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