需要樣品數(shù)很大的統(tǒng)計(jì)抽樣技術(shù)在這里是不實(shí)用的。表⒋18中規(guī)定的晶圓取樣要求以及在樣品晶圓中規(guī)定的特定芯片位置可在保證整體試驗(yàn)置信度的同時(shí),G5V-2-DC5V使試驗(yàn)樣品減少至最少。這些芯片代表了金屬化結(jié)構(gòu)中最典型的情況或是最壞情況位置。芯片上做SEM評(píng)估檢查的區(qū)域不應(yīng)位于或靠近晶圓邊緣。被檢查的區(qū)域應(yīng)是完全沒有受到污染的,以保證是在-個(gè)未被破壞的金屬化區(qū)域?qū)嵤┮?guī)定的檢查�；ミB金屬化的接收應(yīng)基于對(duì)所選芯片區(qū)域的檢查,來確定單個(gè)晶圓的接收與否或一個(gè)晶圓批的接收與否。本試驗(yàn)方法中涉及的芯片指對(duì)一個(gè)具有完全功能的器件芯片的評(píng)價(jià)。如果鑒定機(jī)構(gòu)批準(zhǔn),也可用一個(gè)特定設(shè)計(jì)的SEM試圖形的評(píng)價(jià)代替。這些測(cè)試圖形可位于劃片區(qū)、包含在每個(gè)器件芯片內(nèi)或是用插入式法位于晶圓上某幾個(gè)特定芯片位置上。

   抽樣條件

   本抽樣條件適用于金屬化層上有鈍化層的器件,但檢查是用于確定晶圓批的接收與否時(shí),下述第一步和第二步都要采用。當(dāng)檢查是確定單個(gè)晶圓的接收與否時(shí),只采用第二步。

  選取晶圓。對(duì)確定晶圓批接收與否的每一批,應(yīng)按表4-18的規(guī)定選擇晶圓,如果在金肩化操作中同時(shí)處理數(shù)個(gè)晶圓批,每個(gè)晶圓批應(yīng)按表⒋18的規(guī)定分組。并從確定晶圓批接收與否的各批晶圓中分別選出一組晶圓。