試驗(yàn)方法與技術(shù)

    試驗(yàn)設(shè)備GAL20V8B-15QPN

   試驗(yàn)設(shè)各包括與圖4-154所示的電路等效的,并能提供圖4-155所示的脈沖波形的ESD脈沖模擬器和被測器件(DUT)插座。

   為避免產(chǎn)生寄生效應(yīng)對模擬電路性能的影響,應(yīng)減小串連電感。為避免Cl再充電時(shí)的瞬變,應(yīng)使電源電壓眠減小,并將S1開關(guān)置于放電位置之前。試驗(yàn)期間,不允許跨接DUT插座。建議不要為得到相反極性而把A、B兩端作為模擬器內(nèi)部組成部分。

  Cl表示為有效電容。

   R1的阻值為106~107Ω。

   Cl=100O3×(l±10%)pF(絕緣電阻大于或等于1012Ω)。

   R2=150σ×(1±1%)Ω。

   lsl為高壓繼電器。

   島為常閉開關(guān)(脈沖放電和電容測試期間,開路)。

   電流探測器采用雙屏蔽電纜,并連到示波器的50Ω端口,電纜長度不應(yīng)超過09m。