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HMP25H高頻或開(kāi)關(guān)狀態(tài)運(yùn)用

發(fā)布時(shí)間:2019/10/31 21:00:33 訪問(wèn)次數(shù):2259

HMP25H小信號(hào)模型(a)y-J特性(b)電路模型

微變電阻rd可由式rd=ΔvD/ΔiD求得,也可以從二極管的式導(dǎo)出。對(duì)于式(3.4.3),取jD對(duì)oD的微分,可得微變電導(dǎo)

         

gd=did/dud=d/duo[is(eud/vt-1)]=is/vteud/vt

在q點(diǎn)處vD>>vt=26mⅤ,jD≈isevD/vt,則

gd=is/vteud/vtq≈id/vtq=id/vt

由此可得

rd=1/gd=vt/id=26(mv)/id(ma)(常溫下,t=300K)                (3.4.4)

例如,當(dāng)Q點(diǎn)上的ID=2mA時(shí),RD=26MV/2MA=13Ω。

值得注意的是,小信號(hào)模型中的微變電阻RD與靜態(tài)工作點(diǎn)Q有關(guān),靜態(tài)工作點(diǎn)位置不同,RD的值也不同。該模型主要用子二極管處于正向偏置,且

vD>>VT條件下。

另外,在高頻或開(kāi)關(guān)狀態(tài)運(yùn)用時(shí),考慮到PN結(jié)電容的影響,可以得圖3,4.7a所示的PN結(jié)高頻電路模型,其中rs表示半導(dǎo)體電阻,RD表示結(jié)電阻,CD和CB分別表示擴(kuò)散電容和勢(shì)壘電容。相比之下,RS通常很小,一般忽略不計(jì),所以圖b的電路模型更為常用。結(jié)電容Cd包括CD和CB的總效果。當(dāng)pN結(jié)處于正向偏置時(shí),ri為芷向電阻,其值較小,Cd主要取決于擴(kuò)散電容CD,PN結(jié)反向偏置時(shí),RD為反向電阻,其值很大,Cd主要取決于勢(shì)壘電容CB。

在電子電路中,工般要求信號(hào)和電源具有公共端點(diǎn)(參考電位點(diǎn))。所以,圖3.4.5a并非實(shí)用電路,但用來(lái)分析小信號(hào)工作原理時(shí)與實(shí)際電路是等價(jià)的。

           

二極管的基本電蹯及其分析方法,二極管的高頻電路模型(a)完整模型 (b)常用模型

模型分析法應(yīng)用舉例,整流電路,例3.4.2 二極管基本電路如圖3.4.8a所示,已知Us為正弦波,如圖b所示。試?yán)枚䴓O管理想模型,定性地繪出vO的波形。

解:由于vs的值有正有負(fù),當(dāng)vs為正半周時(shí),二極管正向偏置,根據(jù)理想模型特性,此時(shí)二極管導(dǎo)通,且vO=vs。

當(dāng)vs為負(fù)半周時(shí),二極管反向偏置,此時(shí)二極管截止,vO=0。所以波形如圖b中的vO所示。                

              

該電路稱(chēng)為半波整流電路。(a)電路圖 (b)vs和vO的波形

靜態(tài)工作情況分析,利用二極管模型來(lái)分析電路的靜態(tài)工作情況是較方便的,現(xiàn)舉例說(shuō)明。

例3.4.3 設(shè)簡(jiǎn)單硅二極管基本電路如圖3.4.9a所示,R=10kΩ,圖b是它的習(xí)慣畫(huà)法。對(duì)于下列兩種情況,求電路的fD和VD的值:(1)VD=10Ⅴ;(2)yjD=1Ⅴ。在每種情況下,應(yīng)用理想模型、恒壓降模型和折線模型求解。設(shè)折線模型中rD=o.2kΩ。

解:圖3.4.9a的電路中,虛線左邊為線性部分,右邊為非線性部分。符二極管及其基本宅路(a)簡(jiǎn)單二極管電路 (b)習(xí)慣畫(huà)法 (c)理想模型電路(d)恒壓降模型電路 (e)折線模型電路

         

號(hào)“⊥”為參考電位點(diǎn),電路中任一點(diǎn)的電位,都是對(duì)此點(diǎn)而言的,這在第1章中已介紹過(guò)。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn),圖a所示的電路常采用圖b所示的習(xí)慣畫(huà)法,今后經(jīng)常用到,F(xiàn)按題意,分別求解如下:

yDD=10Ⅴ,使用理想模型得

VD=0Ⅴ,rD=yDD/R=10Ⅴ/10kΩ=1mA

使用恒壓降模型得

VD=0.7Ⅴ,rD=yDD ~VDR

使用折線模型得

JD= R+rD =yD =0.5Ⅴ+fDrD

VDD=1Ⅴ

使用理想模型得

10V-0,7Ⅴ

=0.93mA

10kΩ

10Ⅴ-0.5V

=0.931mA

10kΩ+0.2kΩ

=0.5Ⅴ+0.931-mA×0.2kΩ=0.69Ⅴ

二極管的基本咆蹯及其分析方法


yD=0Ⅴ,JD

使用恒壓降模型得

VD =0.7Ⅴ,

使用折線模型得yDD ~vDfD=0。049mA, yD=0.51Ⅴ

上例表明,在電源電壓遠(yuǎn)大于二極管管壓降的情況下,恒壓降模型能得出較合理的結(jié)果,但當(dāng)電源電壓較低時(shí),折線模型能提供較合理的結(jié)果。正確選擇器件的模型,是電子電路工作者需要掌握的基本技能。

限幅電路,在電子電路中,常用限幅電路對(duì)各種信號(hào)進(jìn)行處理。它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分,F(xiàn)舉例說(shuō)明。

例3.44 一限幅電路如圖3.4.10a所示,R=1kΩ,yREF=3Ⅴ,二極管為硅二極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解以下兩問(wèn):(1)v1=OV、4Ⅴ、6Ⅴ時(shí),求相應(yīng)的輸出電壓vO的值;當(dāng)vI=FnωT(Ⅴ)時(shí),繪出相應(yīng)的輸出電壓vO的波形。

           

解:理想模型電路如圖3.4.10b所示。(a)限幅電路 (b)理想模型電路 (c)恒壓降模型電路(d)理想模型時(shí)的v1和vO波形 (e)恒壓降模型時(shí)的約和vO波形.




HMP25H小信號(hào)模型(a)y-J特性(b)電路模型

微變電阻rd可由式rd=ΔvD/ΔiD求得,也可以從二極管的式導(dǎo)出。對(duì)于式(3.4.3),取jD對(duì)oD的微分,可得微變電導(dǎo)

         

gd=did/dud=d/duo[is(eud/vt-1)]=is/vteud/vt

在q點(diǎn)處vD>>vt=26mⅤ,jD≈isevD/vt,則

gd=is/vteud/vtq≈id/vtq=id/vt

由此可得

rd=1/gd=vt/id=26(mv)/id(ma)(常溫下,t=300K)                (3.4.4)

例如,當(dāng)Q點(diǎn)上的ID=2mA時(shí),RD=26MV/2MA=13Ω。

值得注意的是,小信號(hào)模型中的微變電阻RD與靜態(tài)工作點(diǎn)Q有關(guān),靜態(tài)工作點(diǎn)位置不同,RD的值也不同。該模型主要用子二極管處于正向偏置,且

vD>>VT條件下。

另外,在高頻或開(kāi)關(guān)狀態(tài)運(yùn)用時(shí),考慮到PN結(jié)電容的影響,可以得圖3,4.7a所示的PN結(jié)高頻電路模型,其中rs表示半導(dǎo)體電阻,RD表示結(jié)電阻,CD和CB分別表示擴(kuò)散電容和勢(shì)壘電容。相比之下,RS通常很小,一般忽略不計(jì),所以圖b的電路模型更為常用。結(jié)電容Cd包括CD和CB的總效果。當(dāng)pN結(jié)處于正向偏置時(shí),ri為芷向電阻,其值較小,Cd主要取決于擴(kuò)散電容CD,PN結(jié)反向偏置時(shí),RD為反向電阻,其值很大,Cd主要取決于勢(shì)壘電容CB。

在電子電路中,工般要求信號(hào)和電源具有公共端點(diǎn)(參考電位點(diǎn))。所以,圖3.4.5a并非實(shí)用電路,但用來(lái)分析小信號(hào)工作原理時(shí)與實(shí)際電路是等價(jià)的。

           

二極管的基本電蹯及其分析方法,二極管的高頻電路模型(a)完整模型 (b)常用模型

模型分析法應(yīng)用舉例,整流電路,例3.4.2 二極管基本電路如圖3.4.8a所示,已知Us為正弦波,如圖b所示。試?yán)枚䴓O管理想模型,定性地繪出vO的波形。

解:由于vs的值有正有負(fù),當(dāng)vs為正半周時(shí),二極管正向偏置,根據(jù)理想模型特性,此時(shí)二極管導(dǎo)通,且vO=vs。

當(dāng)vs為負(fù)半周時(shí),二極管反向偏置,此時(shí)二極管截止,vO=0。所以波形如圖b中的vO所示。                

              

該電路稱(chēng)為半波整流電路。(a)電路圖 (b)vs和vO的波形

靜態(tài)工作情況分析,利用二極管模型來(lái)分析電路的靜態(tài)工作情況是較方便的,現(xiàn)舉例說(shuō)明。

例3.4.3 設(shè)簡(jiǎn)單硅二極管基本電路如圖3.4.9a所示,R=10kΩ,圖b是它的習(xí)慣畫(huà)法。對(duì)于下列兩種情況,求電路的fD和VD的值:(1)VD=10Ⅴ;(2)yjD=1Ⅴ。在每種情況下,應(yīng)用理想模型、恒壓降模型和折線模型求解。設(shè)折線模型中rD=o.2kΩ。

解:圖3.4.9a的電路中,虛線左邊為線性部分,右邊為非線性部分。符二極管及其基本宅路(a)簡(jiǎn)單二極管電路 (b)習(xí)慣畫(huà)法 (c)理想模型電路(d)恒壓降模型電路 (e)折線模型電路

         

號(hào)“⊥”為參考電位點(diǎn),電路中任一點(diǎn)的電位,都是對(duì)此點(diǎn)而言的,這在第1章中已介紹過(guò)。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn),圖a所示的電路常采用圖b所示的習(xí)慣畫(huà)法,今后經(jīng)常用到,F(xiàn)按題意,分別求解如下:

yDD=10Ⅴ,使用理想模型得

VD=0Ⅴ,rD=yDD/R=10Ⅴ/10kΩ=1mA

使用恒壓降模型得

VD=0.7Ⅴ,rD=yDD ~VDR

使用折線模型得

JD= R+rD =yD =0.5Ⅴ+fDrD

VDD=1Ⅴ

使用理想模型得

10V-0,7Ⅴ

=0.93mA

10kΩ

10Ⅴ-0.5V

=0.931mA

10kΩ+0.2kΩ

=0.5Ⅴ+0.931-mA×0.2kΩ=0.69Ⅴ

二極管的基本咆蹯及其分析方法


yD=0Ⅴ,JD

使用恒壓降模型得

VD =0.7Ⅴ,

使用折線模型得yDD ~vDfD=0。049mA, yD=0.51Ⅴ

上例表明,在電源電壓遠(yuǎn)大于二極管管壓降的情況下,恒壓降模型能得出較合理的結(jié)果,但當(dāng)電源電壓較低時(shí),折線模型能提供較合理的結(jié)果。正確選擇器件的模型,是電子電路工作者需要掌握的基本技能。

限幅電路,在電子電路中,常用限幅電路對(duì)各種信號(hào)進(jìn)行處理。它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分,F(xiàn)舉例說(shuō)明。

例3.44 一限幅電路如圖3.4.10a所示,R=1kΩ,yREF=3Ⅴ,二極管為硅二極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解以下兩問(wèn):(1)v1=OV、4Ⅴ、6Ⅴ時(shí),求相應(yīng)的輸出電壓vO的值;當(dāng)vI=FnωT(Ⅴ)時(shí),繪出相應(yīng)的輸出電壓vO的波形。

           

解:理想模型電路如圖3.4.10b所示。(a)限幅電路 (b)理想模型電路 (c)恒壓降模型電路(d)理想模型時(shí)的v1和vO波形 (e)恒壓降模型時(shí)的約和vO波形.




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