HBCC-0601飛機(jī)結(jié)構(gòu)靜電現(xiàn)象的防護(hù),為了防止飛機(jī)結(jié)構(gòu)中靜電荷積聚所帶來的嚴(yán)重危害,可采取以下兩種技術(shù)措施:

電氣搭鐵一把飛機(jī)結(jié)構(gòu)中各個(gè)分離部件之間形成低電阻連接,以消除各部分之間存在的電位差。電氣搭鐵可以是固定于金屬零件(例如非金屬連接件每一側(cè)的管子)間的金屬條導(dǎo)體,也可以是連接活動部件(如操縱連桿,飛機(jī)操縱面以及安裝在柔性安裝件,如儀表板、電子設(shè)各安裝架上的元件)之間的短長度柔性編織導(dǎo)體構(gòu)成。這種連接搭鐵條(簡稱為搭鐵條)的一些典型實(shí)例如圖10-42所示。

金屬夾可使連扦運(yùn)動的,足夠長的搭鐵線金屬夾,搭鐵條飛行操縱面橡膠,管夾管夾螺旋形,搭鐵引線部件減震安裝件.

圖10-42 搭鐵方法,(a)連桿和控制桿;(b)具有非金屬連接的管子;(c)飛行操縱面;(d)隔框處的柔性連接;(e)減振安裝設(shè)備。

一般說來,搭鐵有主和輔之分,這是根據(jù)所存在的靜電荷引起的電流大小來確定的。主搭鐵導(dǎo)體用于主要的部件、發(fā)動機(jī)、外部表面(如飛機(jī)操縱面)與機(jī)體結(jié)構(gòu)(飛機(jī)的接地)之間。輔搭鐵導(dǎo)體用在零部件與地之間以及按規(guī)定不需要主搭鐵的地方,例如通有易燃主各類集成電路的氧化膜.

PMOS-P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體;NMOs―N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體;CMOs一互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體;

SOCMOS一選擇氧化膜的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體;HMOS一高密度N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體;

GaAs一砷化鎵半導(dǎo)體;SOS一硅―藍(lán)寶石半導(dǎo)體。

靜電場和靜電流卻成為致命的殺手。凡是靜電放電敏感器件,不管它是安裝在設(shè)備里面的,還是安裝在產(chǎn)品組件上和印制電路板上的,或者是單個(gè)集成電路片,一旦遭受到靜電放電,就會使器件的物理和電氣性能發(fā)生改變而失效。器件在遭受靜電放電以后,放電電流會燒穿器件的氧化膜。在電子顯′微鏡底下可以觀察到器件心片上有像“彈坑”一樣的孔洞,圖10-43所示的是一個(gè)集成運(yùn)算放大器心片,在遭到靜電放電破壞以后,用電子顯微鏡拍下的照相圖。在照片上可以清楚地看到有一個(gè)直徑為6 um的“彈坑”。圖中④所示的部分是心片的敷鋁薄膜;③所示的部分是二氧化硅基底。

不同的靜電放電敏感器件所能承受的靜電電壓的大小也不相同,表10-5列出了幾種器件心片的靜電破壞電壓的數(shù)值。

表10-5 幾種器件的靜電破壞電壓,靜電放電敏感器件,靜電破壞電壓(V),場效應(yīng)晶體管(MOSFEF),互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS),雙極型晶體管,可控硅整流器(SCR),精密薄膜電阻(RN型).

靜電的產(chǎn)生及其性質(zhì),造成靜電放電敏感器件損壞的靜電是很容易產(chǎn)生的物理現(xiàn)象,兩種不同材料的相互摩擦是產(chǎn)生靜電荷的主要原因。例如當(dāng)人穿塑料底或皮底鞋在鋪有絕緣橡膠、地毯上行走.

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