IBM利用分子自組裝現(xiàn)象，日前成功開發(fā)了制造半導(dǎo)體存儲器元件的方法。

    該公司于美國日前宣布開發(fā)了一種制造半導(dǎo)體存儲器元件的方法。而且不需使用在晶圓上曝光電路圖形的光刻技術(shù)，還能直接沿用現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造設(shè)備。由于不需成本昂貴的光刻等制造設(shè)備，還無需過多地改進(jìn)制造工藝A，因此風(fēng)險很小。自組裝是指某種聚合物分子自然地聚集而形成規(guī)則結(jié)構(gòu)的現(xiàn)象。能生成的物質(zhì)與光刻等現(xiàn)有半導(dǎo)體制造方法相比，尺寸更小、密度更高、缺陷更少的元件。

    該公司使用現(xiàn)有半導(dǎo)體制造設(shè)備，并通過利用自組裝現(xiàn)象，研制成了一種在直徑200mm的硅晶圓上像閃存一樣運(yùn)行的納米級結(jié)構(gòu)。而用現(xiàn)有的方法無法制造出納米級結(jié)晶存儲器。如果利用自組裝，就能夠非常簡單地制造出像閃存一樣的常用半導(dǎo)體元件。對于采用自組裝的制造方法的實(shí)用化，該公司認(rèn)為3～5年后就能夠達(dá)到試制水平。
    另外，IBM將在華盛頓特區(qū)舉辦的“IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）”國際學(xué)術(shù)會議上以“Low Voltage, Scalable Nanocrystal FLASH Memory Fabricated by Templated Self Assembly”（利用模塊化自組裝，制造低壓、可擴(kuò)展納米級結(jié)晶閃存）為題介紹該方案。