導(dǎo)通電阻與輸出電荷之間的互商性

發(fā)布時(shí)間:2020/8/17 19:49:17 訪問(wèn)次數(shù):569

80V N溝道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”產(chǎn)品線中新增了四位“新成員”，該系列產(chǎn)品專門(mén)用于工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)式電源。其中，“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)[1]貼片式封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)焊盤(pán)圖案的工業(yè)兼容性；“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封裝技術(shù)。

通過(guò)采用最新工藝的U-MOSX-H制程和一種低壓溝槽結(jié)構(gòu)，這幾款新產(chǎn)品具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]低漏源導(dǎo)通電阻。通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，還提高了導(dǎo)通電阻與輸出電荷之間的互商性[3]，從而可減少導(dǎo)通損耗并有助于降低設(shè)備能耗。這幾款新產(chǎn)品沿襲了現(xiàn)有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開(kāi)關(guān)電荷特性，因此降低了“漏源導(dǎo)通電阻與柵極開(kāi)關(guān)電荷的乘積”[4]，該值為開(kāi)關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)品質(zhì)因數(shù)。

小型4引腳SO6封裝的新型光繼電器“TLP170AM”和“TLP170GM”，適用于安全系統(tǒng)、樓宇自動(dòng)化和其他工業(yè)設(shè)備。

新產(chǎn)品的最高觸發(fā)LED電流為1mA，通過(guò)提升光電二極管陣列的靈敏度，降低了輸入端功耗。在電池供電的安全裝置和各種傳感器中使用這種光繼電器進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，有助于降低功耗，同時(shí)延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

TLP170AM的斷態(tài)輸出端額定電壓為60V，恒定導(dǎo)通電流（ION）為0.7A，脈沖狀態(tài)工作時(shí)最高可達(dá)2.1A。TLP170GM為350V版本，ION恒定電流為110mA，脈沖狀態(tài)工作時(shí)為330mA。

4引腳SO6封裝可提供3750Vrms的最低絕緣電壓，方便在要求高絕緣性能的設(shè)備中使用這些器件。

應(yīng)用：

安全系統(tǒng)

無(wú)源傳感器（PIR[1]）等

工業(yè)設(shè)備

可編程邏輯控制器、I/O接口、各種傳感器控制等

樓宇自動(dòng)化系統(tǒng)

代替機(jī)械式繼電器

特性：

低觸發(fā)LED電流：IFT＝1mA（最大值）

小型封裝：4引腳SO6

高絕緣電壓：BVs＝3750Vrms（最小值）

30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強(qiáng)型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝，專門(mén)用來(lái)提高功率密度。

日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即開(kāi)關(guān)應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) (FOM) 為185 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。

器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開(kāi)關(guān)、反向極性電池保護(hù)、 OR-ing功能，以及電信設(shè)備、服務(wù)器、工業(yè)PC和機(jī)器人的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量，換句話說(shuō)，加大單個(gè)器件電流，從而提高功率密度，節(jié)省這些應(yīng)用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。