Transphorm在其900 V平臺上所做的工作展示了高壓氮化鎵功率晶體管所具備的功能。該器件使我們能夠支持我們之前無法涉足的應用。在提供這些50毫歐FET的樣品時，我們見證了來自客戶的濃厚興趣。它們的供應狀態(tài)現已轉變?yōu)槟軌驖M足客戶需求的大批量生產。

900 V GaN應用，伊利諾伊理工學院(IIT)目前正在一個先進能源研究計劃署(ARPA-E)的Circuits計劃中利用TP90H050WS開展相關工作，該計劃將Transphorm的前沿產品與IIT的創(chuàng)新型固態(tài)開關拓撲獨特結合。該項目將為可再生能源微電網生產可靠的固態(tài)斷路器(SSCB)。它包括使用900 V GaN器件開發(fā)自主操作、可編程的智能雙向SSCB。

我們的SSCB項目需要一種非傳統(tǒng)的電源轉換解決方案，該解決方案不僅要在速度方面優(yōu)于機械式斷路器，而且還需要幫助我們降低功耗。Transphorm的GaN技術超出了我們的預期。它提供完整封裝、 高功率密度、可靠的雙向性，并且作為市面上唯一的900 V GaN器件，以一種小型封裝提供了前所未有的功率輸出。

MC34074DR2G產品種類:運算放大器 - 運放RoHS:  安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14電源電壓-最大:44 V每個通道的輸出電流:30 mA通道數量:4 ChannelGBP-增益帶寬產品:4.5 MHzSR - 轉換速率 :13 V/usCMRR - 共模抑制比:70 dBIb - 輸入偏流:500 nAVos - 輸入偏置電壓 :5 mV電源電壓-最小:3 V工作電源電流:7.6 mA最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C關閉:No Shutdown系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel放大器類型:General Purpose Amplifier 高度:1.5 mm (Max) 長度:8.75 mm (Max) 產品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術:Bipolar 寬度:4 mm (Max) 商標:ON Semiconductor 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V en - 輸入電壓噪聲密度:32 nV/sqrt Hz In—輸入噪聲電流密度:0.22 pA/sqrt Hz 最大雙重電源電壓:+/- 22 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 44 V, +/- 1.5 V to +/- 22 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:70 dB

Microchip的EQCO125X40 系列CoaXPress 器件是首款采用 CXP 2.0 標準的產品，采用基于該規(guī)范的全新向后兼容設計，在所有速度級別上都集成了時鐘數據恢復（CDR）和相機側時鐘，以支持實際環(huán)境的需求。這些器件使攝像機和采集卡的傳輸速度比其他解決方案快4到8倍，從而顯著提高機器視覺處理吞吐量。此外，這些器件還能以更低功率和近乎零延遲支持四倍電纜/鏈路距離。

新產品系列還支持以任何速度無縫鎖定從CXP-1到CXP-12的所有頻率，提高了設計容差和靈活性，并通過單根電纜支持12.5 Gbps的帶寬，消除了對多通道的需求。更廣泛的布線選項確保了系統(tǒng)可以安裝在需要的地方，集成的CDR改善了從攝像機發(fā)送到采集卡的信號防抖性能。攝像機低頻時鐘恢復功能消除了在FPGA進行單獨時鐘編程的需要。集成的鏈路信號完整性測試使系統(tǒng)能夠在運行前和運行期間對電纜鏈路完整性進行實時檢查。

Microchip推出的這款新產品能使其以更低成本開發(fā)更強大的產品，幫助客戶將產品部署在生產線上任何需要的地方。新產品可以進行預設置和實時電纜鏈路質量測試，為用戶提供更強大、更全面的解決方案，以應對他們的挑戰(zhàn)。他們還可以選擇通過多條電纜擴展到50 Gbps。

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