900 V GaN場效應(yīng)晶體管(FET)現(xiàn)已投入生產(chǎn)。TP90H050WS的典型導(dǎo)通電阻為50毫歐，瞬態(tài)峰值額定值為1千伏，現(xiàn)已通過電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(JEDEC)認證。

開發(fā)和制造高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的先驅(qū)Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布，該公司的第二款900 V GaN場效應(yīng)晶體管(FET)現(xiàn)已投入生產(chǎn)。TP90H050WS的典型導(dǎo)通電阻為50毫歐，瞬態(tài)峰值額定值為1千伏，現(xiàn)已通過電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(JEDEC)認證。主要目標市場是廣泛的工業(yè)和可再生能源，包括光伏逆變器、電池充電、不間斷電源、照明和儲能等應(yīng)用。此外，憑借900 V產(chǎn)品組合，Transphorm正逐步擴大電壓范圍，以涵蓋三相應(yīng)用。

TP90H050WS是該公司繼TP90H180PS之后的第二款900 V器件。雙芯片式常關(guān)型功率晶體管采用標準TO-247封裝，具有±20 V柵極魯棒性，從而提高其在電力系統(tǒng)中的可靠性和可設(shè)計性。Transphorm的高速GaN與耐熱性強的TO-247封裝相結(jié)合，使系統(tǒng)在具有無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)的典型半橋配置中可獲得超過99%的效率，同時產(chǎn)生高達10 kW的功率。

產(chǎn)品種類:運算放大器 - 運放RoHS:  安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14電源電壓-最大:5.5 V每個通道的輸出電流:23 mA通道數(shù)量:4 ChannelGBP-增益帶寬產(chǎn)品:1 MHzSR - 轉(zhuǎn)換速率 :0.6 V/usCMRR - 共模抑制比:60 dBIb - 輸入偏流:19 pAVos - 輸入偏置電壓 :4.5 mV電源電壓-最小:1.8 V工作電源電流:100 uA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C關(guān)閉:No Shutdown系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel放大器類型:Operational Amplifiers 高度:1.25 mm (Min) 長度:8.65 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Single 技術(shù):CMOS 寬度:3.9 mm 商標:Microchip Technology en - 輸入電壓噪聲密度:28 nV/sqrt Hz In—輸入噪聲電流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 工作電源電壓:1.8 V to 5.5 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:86 dB

Transphorm借助其直交逆變器評估板來繼續(xù)簡化開發(fā)工作。TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫歐FET設(shè)計，使用全橋拓撲來支持以100 kHz或以上頻率運行的單相逆變器系統(tǒng)。

該評估板及兩款已投產(chǎn)的900 V晶體管可通過Digi-Key和Mouser獲取。

Microchip全新CXP-12系列為我們的最新產(chǎn)品提供了一個緊湊和低組件數(shù)的單芯片均衡器解決方案，可以輕松滿足CoaXPress回波損耗規(guī)范。這些器件還有一個出色的功能，可以進行實時電纜裕度測試，在正常運行中出現(xiàn)任何位錯之前檢測到老化或磨損的電纜。

Microchip的CXP器件使制造商能夠從攝像機和幀采集器的兩個端口獲得與以前四個端口相同的吞吐量。這些器件可用于在攝像機端檢索實時低頻時鐘，從而提供更精確的信號時序。制造商還可以將其作為電纜中繼器使用，進一步擴大攝像機之間的連接距離。它們的低功耗使其成為向市場推出尺寸更小、性能更好的圖像采集解決方案的理想選擇，既能增加客戶價值，同時設(shè)計更簡單、成本更低。