NVIDIA今天發(fā)布了2021財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，營(yíng)收38.7億美元，大漲50%，凈利潤(rùn)13.7億美元，大會(huì)79%，其中數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)營(yíng)收17.5億美元，大漲167%，首次超過了GeForce游戲卡業(yè)務(wù)。NVIDIA上季度中數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)大漲有多個(gè)原因，其中很重要一點(diǎn)就是7nm安培顯卡，今年5月份正式發(fā)布A100加速卡，到7月底不過2個(gè)月時(shí)間，它就貢獻(xiàn)了數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)1/4的營(yíng)收了。

按照17.5億美元的營(yíng)收來算，1/4大概就是4.4億美元，差不多是30億人民幣，雖然我們不知道A100加速卡的具體售價(jià)，但是超過1萬美元太容易了，估計(jì)差不多賣出4萬塊了。

能削減貼裝面積。因?yàn)槠瑺疃鄬犹沾呻娙萜鲉挝惑w積的靜電容量較大。另一個(gè)是用于DC-DC轉(zhuǎn)換器等輸出平滑電路時(shí)，可降低輸出紋波電壓。原因在于片狀多層陶瓷電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR：Equivalent Series Resistance)較低。使用鉭電解電容器時(shí)，輸出紋波電壓為56mV，而使用片狀多層陶瓷電容器時(shí)則降到了7mV。

用于輸出平滑用途時(shí)需要注意并不是只要單純地將鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器，工作就結(jié)束了的。根據(jù)用途的不同，有時(shí)還需要注意一些問題。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:3.2 V在25 C的連續(xù)集電極電流:700 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm封裝:Tray商標(biāo):Infineon Technologies柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:3900 W工廠包裝數(shù)量:10

標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶零件狀態(tài)有源類別產(chǎn)品族PMIC - 電池充電器系列-其它名稱296-39552-2

規(guī)格電池化學(xué)鋰離子/聚合物電池?cái)?shù)1電流 - 充電恒流 - 可編程可編程特性電流故障保護(hù)過流，超溫，過壓充電電流 - 最大值3A電池組電壓4.4V（最大）電壓 - 供電（最高）6.2V接口I2C，USB工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼24-VFQFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝24-VQFN（4x4）

第一是可靠性問題。鉭電解電容器存在發(fā)生短路故障時(shí)導(dǎo)致冒煙和起火的可能性。出現(xiàn)冒煙和起火現(xiàn)象時(shí)，對(duì)于配備鉭電解電容器的電子產(chǎn)品而言是致命的。另一個(gè)是原材料鉭的問題。鉭屬于稀有金屬，其產(chǎn)地在全世界屈指可數(shù)。因此，如果產(chǎn)地出現(xiàn)政治動(dòng)蕩等，就會(huì)陷入價(jià)格暴漲、供給不穩(wěn)定的局面。只要原材料是稀有金屬，鉭電解電容器用戶就不可能完全避免此類風(fēng)險(xiǎn)。

而解決這些問題的對(duì)策就是用片狀多層陶瓷電容器來取代鉭電解電容器。片狀多層陶瓷電容器發(fā)生冒煙和起火的可能性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于鉭電解電容器。另外由于不使用稀有金屬，價(jià)格和供給都更加穩(wěn)定。而且還有一些鉭電解電容器所不具備的優(yōu)點(diǎn)。

替換成片狀多層陶瓷電容器可以抑制紋波電壓,將DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸出電容器由鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器時(shí)的輸出電壓波形。DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率為300MHz。鉭電解電容器的容量為100μF。使用3 個(gè) 22μF的片狀多層陶瓷電容器產(chǎn)品。替換前的紋波電壓為56mV，更換成片狀多層陶瓷電容器后降到了7mV。

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