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60A的IDS額定值和GaN Systems的高性能GaNPX封裝

發(fā)布時(shí)間:2020/11/10 18:34:09 訪問(wèn)次數(shù):1139

ADG5421F是雙路單刀單擲(SPST)低電阻開(kāi)關(guān),具有過(guò)壓保護(hù),關(guān)電保護(hù)和過(guò)壓檢測(cè).當(dāng)沒(méi)有電源的時(shí)候,開(kāi)關(guān)保持?jǐn)嚅_(kāi)態(tài),而開(kāi)關(guān)輸入是高阻抗?fàn)顟B(tài).加電后,如果Sx引腳的模擬輸入信號(hào)電平超過(guò)VDD或VSS一個(gè)閾值VT,兩個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)關(guān)斷,而開(kāi)漏極故障標(biāo)識(shí)(FF)引腳下拉到邏輯低電平.

輸入信號(hào)電平對(duì)地高達(dá)+60V或-60V在加電或沒(méi)電條件下會(huì)受到阻隔. ADG5421F工作在雙電源 ±5 V 到高達(dá)±22 V或單電源+8 V到高達(dá)+44 V.典型開(kāi)態(tài)電阻變化超平坦,為11 Ω.主要用在模擬輸入和輸出模塊,過(guò)程控制和分布控制系統(tǒng),數(shù)據(jù)采集,儀表和航空航天電子設(shè)備,自動(dòng)測(cè)試儀表(ATE),通信系統(tǒng),繼電器替代.

SiPM dToF激光雷達(dá)平臺(tái)提供低成本、單點(diǎn)激光雷達(dá)的完整方案,原始設(shè)備制造商 (OEM) 可靈活調(diào)整并投入生產(chǎn),以創(chuàng)建工業(yè)測(cè)距應(yīng)用。它包括NIR激光二極管、SiPM傳感器和光學(xué)器件,以及將檢測(cè)到的信號(hào)轉(zhuǎn)換為經(jīng)過(guò)時(shí)間,以及將經(jīng)過(guò)時(shí)間轉(zhuǎn)換為距離所需的數(shù)字處理。

基于PC的圖形用戶接口(GUI),提供隨時(shí)間變化的測(cè)量結(jié)果的圖形。生成的直方圖進(jìn)一步證明該系統(tǒng)在測(cè)距、碰撞檢測(cè)和3D制圖等應(yīng)用的能力。

使用dToF激光雷達(dá)進(jìn)行測(cè)距,滿足了許多應(yīng)用的關(guān)鍵需求,從自主導(dǎo)航到地圖繪制到監(jiān)控。但是,開(kāi)發(fā)基于dToF激光雷達(dá)的系統(tǒng)可能具有挑戰(zhàn)性。我司的這個(gè)平臺(tái)顯然證實(shí)這領(lǐng)先技術(shù)的效用。有了經(jīng)驗(yàn)證的設(shè)計(jì),客戶就能更快地進(jìn)行概念驗(yàn)證,并迅速將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

650V,60A 功率器件。GS-065-060-5-T-A的設(shè)計(jì)符合汽車(chē)可靠性標(biāo)準(zhǔn),包括AEC-Q101認(rèn)證和GaN Systems的AutoQual+™ 測(cè)試和認(rèn)證。AutoQual+是一個(gè)增強(qiáng)的AEC-Q測(cè)試,基于該公司與汽車(chē)合作伙伴的合作,以證明其器件壽命超過(guò)市場(chǎng)要求。

新的GaN晶體管提供低RDSon(25mΩ),具有60A的IDS額定值和GaN Systems的高性能GaNPX®封裝,能夠在緊湊的外形尺寸下實(shí)現(xiàn)超低的電感和最佳的熱阻。利用這些晶體管,從車(chē)載電池充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、EV牽引逆變器、電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等廣泛的汽車(chē)應(yīng)用都可以受益于高可靠性和體積、重量和成本的降低。


(素材來(lái)源:21IC.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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SiPM dToF激光雷達(dá)平臺(tái)提供低成本、單點(diǎn)激光雷達(dá)的完整方案,原始設(shè)備制造商 (OEM) 可靈活調(diào)整并投入生產(chǎn),以創(chuàng)建工業(yè)測(cè)距應(yīng)用。它包括NIR激光二極管、SiPM傳感器和光學(xué)器件,以及將檢測(cè)到的信號(hào)轉(zhuǎn)換為經(jīng)過(guò)時(shí)間,以及將經(jīng)過(guò)時(shí)間轉(zhuǎn)換為距離所需的數(shù)字處理。

基于PC的圖形用戶接口(GUI),提供隨時(shí)間變化的測(cè)量結(jié)果的圖形。生成的直方圖進(jìn)一步證明該系統(tǒng)在測(cè)距、碰撞檢測(cè)和3D制圖等應(yīng)用的能力。

使用dToF激光雷達(dá)進(jìn)行測(cè)距,滿足了許多應(yīng)用的關(guān)鍵需求,從自主導(dǎo)航到地圖繪制到監(jiān)控。但是,開(kāi)發(fā)基于dToF激光雷達(dá)的系統(tǒng)可能具有挑戰(zhàn)性。我司的這個(gè)平臺(tái)顯然證實(shí)這領(lǐng)先技術(shù)的效用。有了經(jīng)驗(yàn)證的設(shè)計(jì),客戶就能更快地進(jìn)行概念驗(yàn)證,并迅速將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

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新的GaN晶體管提供低RDSon(25mΩ),具有60A的IDS額定值和GaN Systems的高性能GaN®封裝,能夠在緊湊的外形尺寸下實(shí)現(xiàn)超低的電感和最佳的熱阻。利用這些晶體管,從車(chē)載電池充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、EV牽引逆變器、電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等廣泛的汽車(chē)應(yīng)用都可以受益于高可靠性和體積、重量和成本的降低。


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