為了克服光電隔離技術(shù)的諸多缺點(diǎn)，許多半導(dǎo)體公司開始研發(fā)不發(fā)光的隔離器解決方案。周曉奇告訴記者，ADI公司是最早一家推出新型數(shù)字隔離器解決方案，并于2001年率先推出基于其專有iCoupler磁耦隔離技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離產(chǎn)品。

iCoupler 技術(shù)是基于芯片尺寸的變壓器，每個iCoupler通道都由兩部分組成：CMOS接口電路和芯片級變壓器。而iCoupler隔離變壓器的核心正是這個能夠穿越隔離阻障并發(fā)射與接收信號的平面變壓器，它們不僅能夠提供隔離，而且消除了光耦合器中光電轉(zhuǎn)換的缺點(diǎn)，包括功耗過大、較大的時序誤差和數(shù)據(jù)速率受限等。由于無需驅(qū)動LED 的外部電路，iCoupler數(shù)字隔離器功耗僅為光電耦合器的1/10～1/50。

有源驅(qū)動與無源驅(qū)動矩陣不同的無源驅(qū)動矩陣結(jié)構(gòu):像素由陰極和陽極chanchunji板,陽極的橫截面和陰極可以發(fā)光,通過IC需要通過TCP或修整齒輪連接方式驅(qū)動.每個像素的主動驅(qū)動都具有低溫多晶硅薄膜晶體管的功能,每個像素都裝有電荷存儲電容器、外圍驅(qū)動電路和集成在同一玻璃基板上的整個系統(tǒng)的顯示陣列.與LCD相同的TFT結(jié)構(gòu)不能用于OLED.

有源驅(qū)動的每個像素配備具有開關(guān)功能的低溫多晶硅薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor， LT P-Si TFT)，而且每個象素配備一個電荷存儲電容，外圍驅(qū)動電路和顯示陣列整個系統(tǒng)集成在同一玻璃基板上、與LCD相同的TFT結(jié)構(gòu)，無法用于OLED、這是因為LCD采用電壓驅(qū)動，而OLED卻依賴電流驅(qū)動，其亮度與電流量成正比，因此除了進(jìn)行ON/OFF切換動作的選址TFT之外，還需要能讓足夠電流通過的ON阻抗較低的小型驅(qū)動TFT.

以支持性能較低的5G新空口設(shè)備，從而實現(xiàn)某些商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域?qū)Υ祟惞δ艿男枨�，�?" 5G NR-Light"。其比 eMTC/NB-loT 更強(qiáng)大，但與 5G NR eMBB/URLLC相比，支持不同的功能和更小的帶寬， 例如，5G NR-Light可以僅占用10或20 MHz的帶寬，并提供100 Mbps的下行鏈路和50 Mbps的上行鏈路吞吐量，使其成為適用于高端可穿戴設(shè)備或工業(yè)loT相機(jī)和傳感器等用例的技術(shù)。

把5G NR-Light與5G新空口覆蓋范圍增強(qiáng)組合起來，構(gòu)成了低移動性大蜂窩（LMLC)場景增強(qiáng)之關(guān)鍵支撐要素，這是5G新空口在全球取得成功的重要場景，尤其是在發(fā)展中國家。

3GPP RAN現(xiàn)在將開始開展有關(guān)5G NR增強(qiáng)的規(guī)范工作，以支持非地面接入（NTN)--衛(wèi)星和高空平臺（HAPs)。還將對物聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行初步研究，給引入和對衛(wèi)星對NB-loT和eMTC的支持奠定基礎(chǔ)。

RAN2面向R17對5G NR的無線協(xié)議增強(qiáng)工作將于2020年第二季度啟動。其將為RAN1新添加的5G NR物理層驅(qū)動功能對應(yīng)增加必要的協(xié)議增強(qiáng)。

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