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鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲衅?/h1>

發(fā)布時(shí)間:2020/11/17 23:25:04 訪問(wèn)次數(shù):1155

全新FRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY,此為該全新產(chǎn)品系列的首推器件。這兩款器件可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作,專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計(jì),且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。富士通電子希望通過(guò)該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場(chǎng)的各種應(yīng)用,并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項(xiàng)目。

車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加,因此對(duì)于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來(lái)越高,因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí),只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM屬于非失去性內(nèi)存,不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取,且擁有高耐寫度的特性,因此能以最佳的性能滿足這類應(yīng)用的需求。

特點(diǎn):

可驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī);

PWM電流反饋控制;

運(yùn)行在1、1/2、1/4的步階模式;

MOSFETD的輸出級(jí)使用低導(dǎo)通電阻;

高電壓和大電流(請(qǐng)參閱規(guī)格書中的絕對(duì)最大額定值和操作范圍);

錯(cuò)誤檢測(cè)功能:上電復(fù)位(POR)、熱關(guān)斷(TSD)和過(guò)電流關(guān)斷(ISD);

內(nèi)置VCC穩(wěn)壓調(diào)節(jié)器允許器件操作在一個(gè)單獨(dú)的VM電源;

可定制的PWM斬波頻率,依據(jù)使用的外部器件(電阻/冷凝器);

封裝:P-WQFN36-0606-0.50。

此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發(fā)的標(biāo)準(zhǔn) TTL/CMOS 邏輯輸入,最低能以 3.3V 運(yùn)作,因此很容易將驅(qū)動(dòng)器連接至控制電路。其輸出的設(shè)計(jì)可承受負(fù)瞬態(tài),并包含適用于高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓鎖定。

DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流,DGD2012S8 則為 1.9A 與 2.3A,在其范圍內(nèi)皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內(nèi)部停滯時(shí)間,而 DGD2005S8 在高側(cè)與低側(cè)之間切換時(shí),最大傳播時(shí)間為 30ns。

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝,并可在 -40℃至+125℃ 的寬廣溫度范圍中運(yùn)作。

(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

全新FRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY,此為該全新產(chǎn)品系列的首推器件。這兩款器件可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作,專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計(jì),且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。富士通電子希望通過(guò)該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場(chǎng)的各種應(yīng)用,并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項(xiàng)目。

車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加,因此對(duì)于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來(lái)越高,因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí),只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM屬于非失去性內(nèi)存,不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取,且擁有高耐寫度的特性,因此能以最佳的性能滿足這類應(yīng)用的需求。

特點(diǎn):

可驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī);

PWM電流反饋控制;

運(yùn)行在1、1/2、1/4的步階模式;

MOSFETD的輸出級(jí)使用低導(dǎo)通電阻;

高電壓和大電流(請(qǐng)參閱規(guī)格書中的絕對(duì)最大額定值和操作范圍);

錯(cuò)誤檢測(cè)功能:上電復(fù)位(POR)、熱關(guān)斷(TSD)和過(guò)電流關(guān)斷(ISD);

內(nèi)置VCC穩(wěn)壓調(diào)節(jié)器允許器件操作在一個(gè)單獨(dú)的VM電源;

可定制的PWM斬波頻率,依據(jù)使用的外部器件(電阻/冷凝器);

封裝:P-WQFN36-0606-0.50。

此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發(fā)的標(biāo)準(zhǔn) TTL/CMOS 邏輯輸入,最低能以 3.3V 運(yùn)作,因此很容易將驅(qū)動(dòng)器連接至控制電路。其輸出的設(shè)計(jì)可承受負(fù)瞬態(tài),并包含適用于高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓鎖定。

DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流,DGD2012S8 則為 1.9A 與 2.3A,在其范圍內(nèi)皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內(nèi)部停滯時(shí)間,而 DGD2005S8 在高側(cè)與低側(cè)之間切換時(shí),最大傳播時(shí)間為 30ns。

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝,并可在 -40℃至+125℃ 的寬廣溫度范圍中運(yùn)作。

(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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