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整流電路輸出電壓極性的方法

發(fā)布時間:2020/11/3 0:04:07 訪問次數(shù):2332

整流電路輸出電壓極性的方法是:兩二極管負(fù)極相連的是正極性輸出端(VD2和VD4連接端),兩二極管正極相連的是負(fù)極性輸出端(VD1和VD3連接端)。一正、負(fù)極性全波整流電路的工作原理解說。

如果正極性和負(fù)極性直流輸出電壓都不正常時,可以不必檢查整流二極管,而是檢測電源變壓器,因為幾只整流二極管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。

對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時,可按前面介紹的故障檢測方法進(jìn)行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進(jìn)行在路檢測時會相互影響,所以準(zhǔn)確的檢測應(yīng)該將二極管脫開電路。

電路故障分析是正、負(fù)極性全波整流電路的故障分析。

制造商:Analog Devices Inc.產(chǎn)品種類:板上安裝溫度傳感器RoHS: 輸出類型:Analog電源電壓-最小:4 V電源電壓-最大:30 V接口類型:-最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-52-3封裝:Bulk產(chǎn)品:Temperature Transducer系列:商標(biāo):Analog Devices增益:+ 1 uA / K產(chǎn)品類型:Temperature Sensors100子類別:Sensors單位重量:1.055 g

SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 4,800 ~ 5,600Mbps,其速率相較前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。5,600Mbps 的傳輸速率意味著能夠在 1 秒內(nèi)傳輸九部全高清(Full-HD, FHD)電影。產(chǎn)品的動作電壓由前一代的 1.2V 降到了 1.1V,成功減少了 20%的功耗。

SK 海力士 DDR5 DRAM 的另一個顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯誤糾正代碼(Error Correction Code, ECC);內(nèi)置 ECC 能夠依靠自身功能修復(fù) DRAM 單元(cell)單字節(jié)單位的錯誤。有助于該特性,采用 SK 海力士 DDR5 DRAM 的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)相結(jié)合,更能夠組成容量高達(dá) 256GB 的高容量模組。

SK 海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的 DDR5 DRAM 將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運(yùn)營成本。



(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

整流電路輸出電壓極性的方法是:兩二極管負(fù)極相連的是正極性輸出端(VD2和VD4連接端),兩二極管正極相連的是負(fù)極性輸出端(VD1和VD3連接端)。一正、負(fù)極性全波整流電路的工作原理解說。

如果正極性和負(fù)極性直流輸出電壓都不正常時,可以不必檢查整流二極管,而是檢測電源變壓器,因為幾只整流二極管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。

對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時,可按前面介紹的故障檢測方法進(jìn)行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進(jìn)行在路檢測時會相互影響,所以準(zhǔn)確的檢測應(yīng)該將二極管脫開電路。

電路故障分析是正、負(fù)極性全波整流電路的故障分析。

制造商:Analog Devices Inc.產(chǎn)品種類:板上安裝溫度傳感器RoHS: 輸出類型:Analog電源電壓-最小:4 V電源電壓-最大:30 V接口類型:-最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-52-3封裝:Bulk產(chǎn)品:Temperature Transducer系列:商標(biāo):Analog Devices增益:+ 1 uA / K產(chǎn)品類型:Temperature Sensors100子類別:Sensors單位重量:1.055 g

SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 4,800 ~ 5,600Mbps,其速率相較前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。5,600Mbps 的傳輸速率意味著能夠在 1 秒內(nèi)傳輸九部全高清(Full-HD, FHD)電影。產(chǎn)品的動作電壓由前一代的 1.2V 降到了 1.1V,成功減少了 20%的功耗。

SK 海力士 DDR5 DRAM 的另一個顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯誤糾正代碼(Error Correction Code, ECC);內(nèi)置 ECC 能夠依靠自身功能修復(fù) DRAM 單元(cell)單字節(jié)單位的錯誤。有助于該特性,采用 SK 海力士 DDR5 DRAM 的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)相結(jié)合,更能夠組成容量高達(dá) 256GB 的高容量模組。

SK 海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的 DDR5 DRAM 將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運(yùn)營成本。



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