DDR3型SDRAM的外部總線速度I/O傳送速率
發(fā)布時間:2020/11/15 22:34:13 訪問次數(shù):1581
低時延:由于移動邊緣計算服務(wù)靠近終端設(shè)備或者直接在終端設(shè)備上運行,因此大大降低了延遲。這使得反饋更加迅速,同時也改善了用戶體驗,大大降低了網(wǎng)絡(luò)在其他部分中可能發(fā)生的擁塞。
高帶寬:由于移動邊緣計算服務(wù)器靠近信息源,可以在本地進行簡單的數(shù)據(jù)處理,不必將所有數(shù)據(jù)或信息都上傳至云端,這將使得核心網(wǎng)傳輸壓力下降,減少網(wǎng)絡(luò)堵塞,網(wǎng)絡(luò)速率也會因此大大增加。
位置認(rèn)知:當(dāng)網(wǎng)絡(luò)邊緣是無線網(wǎng)絡(luò)的一部分時,無論是WiFi還是蜂窩,本地服務(wù)都可以利用相對較少的信息來確定每個連接設(shè)備的具體位置。
邊緣計算可以靠近物或數(shù)據(jù)源頭的一側(cè),將網(wǎng)絡(luò)處理能力、計算位置下沉到用戶邊緣,這與5G網(wǎng)絡(luò)特性不謀而合。
MEC產(chǎn)業(yè)環(huán)境漸入佳境,標(biāo)準(zhǔn)化組織、運營商、設(shè)備商、互聯(lián)網(wǎng)廠商等都在推動整個MEC產(chǎn)業(yè)的進程,特別是5G商用之后,MEC成為其關(guān)鍵技術(shù)之一。
5G“低功耗大連接”的應(yīng)用場景要求能夠提供具備超千億網(wǎng)絡(luò)連接的支持能力,滿足100萬/km2連接數(shù)密度指標(biāo)要求,在這樣的海量數(shù)據(jù)以及高連接密度指標(biāo)的要求下,如何保證低時延和低功耗是非常重要的。要實現(xiàn)低時延以及低功耗,一方面需要大幅度降低空口傳輸時延,另一方面要盡可能減少轉(zhuǎn)發(fā)節(jié)點,縮短源到目的節(jié)點之間的“距離”。
移動技術(shù)對時延優(yōu)化并不充分,LTE技術(shù)可以將空口吞吐率提升10倍,但對端到端的時延只能優(yōu)化3倍。其原因在于當(dāng)空口效率大幅提升以后,網(wǎng)絡(luò)構(gòu)架并沒有充分優(yōu)化而成為了業(yè)務(wù)時延的瓶頸。LTE網(wǎng)絡(luò)雖然實現(xiàn)了2跳的扁平構(gòu)架,但基站到核心網(wǎng)往往會距離數(shù)百公里,途徑多重會聚、轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備,再加上不可預(yù)知的擁塞和抖動,根本無法實現(xiàn)低時延的保障。
DDR2型SDRAM的外部總線速度是DDR1的雙倍I/O傳送速度的兩倍。它使用4n預(yù)讀取的緩沖,內(nèi)部的數(shù)據(jù)路徑是外部數(shù)據(jù)總線寬度的四倍。DDR2的時鐘頻率可設(shè)置成DDR1的一半,實現(xiàn)相同的傳送速度;或相同的速率,實現(xiàn)雙倍的信息帶寬。
DDR3型SDRAM的外部總線速度是DDR2雙倍I/O傳送速率的兩倍,使用8n預(yù)讀取架構(gòu)。它的內(nèi)部數(shù)據(jù)路徑的寬度是8比特,而DDR2是4比特。DDR3的時鐘頻率可設(shè)置成DDR2的一半,實現(xiàn)相同的傳輸速度;或相同的速率,實現(xiàn)雙倍的信息帶寬。
當(dāng)前衛(wèi)星和航天器制造商可用的宇航級SDRAM的選項。
當(dāng)前的宇航SDRAM選項,為了實現(xiàn)下一代高吞吐量衛(wèi)星的服務(wù),未來的載荷需要更快、更大容量、更小尺寸和更低功耗的星載存儲器。小衛(wèi)星星座對尺寸和功耗有更嚴(yán)格的限制,而OEM廠商也需要更大的存儲帶寬實現(xiàn)實時應(yīng)用。

(素材來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
低時延:由于移動邊緣計算服務(wù)靠近終端設(shè)備或者直接在終端設(shè)備上運行,因此大大降低了延遲。這使得反饋更加迅速,同時也改善了用戶體驗,大大降低了網(wǎng)絡(luò)在其他部分中可能發(fā)生的擁塞。
高帶寬:由于移動邊緣計算服務(wù)器靠近信息源,可以在本地進行簡單的數(shù)據(jù)處理,不必將所有數(shù)據(jù)或信息都上傳至云端,這將使得核心網(wǎng)傳輸壓力下降,減少網(wǎng)絡(luò)堵塞,網(wǎng)絡(luò)速率也會因此大大增加。
位置認(rèn)知:當(dāng)網(wǎng)絡(luò)邊緣是無線網(wǎng)絡(luò)的一部分時,無論是WiFi還是蜂窩,本地服務(wù)都可以利用相對較少的信息來確定每個連接設(shè)備的具體位置。
邊緣計算可以靠近物或數(shù)據(jù)源頭的一側(cè),將網(wǎng)絡(luò)處理能力、計算位置下沉到用戶邊緣,這與5G網(wǎng)絡(luò)特性不謀而合。
MEC產(chǎn)業(yè)環(huán)境漸入佳境,標(biāo)準(zhǔn)化組織、運營商、設(shè)備商、互聯(lián)網(wǎng)廠商等都在推動整個MEC產(chǎn)業(yè)的進程,特別是5G商用之后,MEC成為其關(guān)鍵技術(shù)之一。
5G“低功耗大連接”的應(yīng)用場景要求能夠提供具備超千億網(wǎng)絡(luò)連接的支持能力,滿足100萬/km2連接數(shù)密度指標(biāo)要求,在這樣的海量數(shù)據(jù)以及高連接密度指標(biāo)的要求下,如何保證低時延和低功耗是非常重要的。要實現(xiàn)低時延以及低功耗,一方面需要大幅度降低空口傳輸時延,另一方面要盡可能減少轉(zhuǎn)發(fā)節(jié)點,縮短源到目的節(jié)點之間的“距離”。
移動技術(shù)對時延優(yōu)化并不充分,LTE技術(shù)可以將空口吞吐率提升10倍,但對端到端的時延只能優(yōu)化3倍。其原因在于當(dāng)空口效率大幅提升以后,網(wǎng)絡(luò)構(gòu)架并沒有充分優(yōu)化而成為了業(yè)務(wù)時延的瓶頸。LTE網(wǎng)絡(luò)雖然實現(xiàn)了2跳的扁平構(gòu)架,但基站到核心網(wǎng)往往會距離數(shù)百公里,途徑多重會聚、轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備,再加上不可預(yù)知的擁塞和抖動,根本無法實現(xiàn)低時延的保障。
DDR2型SDRAM的外部總線速度是DDR1的雙倍I/O傳送速度的兩倍。它使用4n預(yù)讀取的緩沖,內(nèi)部的數(shù)據(jù)路徑是外部數(shù)據(jù)總線寬度的四倍。DDR2的時鐘頻率可設(shè)置成DDR1的一半,實現(xiàn)相同的傳送速度;或相同的速率,實現(xiàn)雙倍的信息帶寬。
DDR3型SDRAM的外部總線速度是DDR2雙倍I/O傳送速率的兩倍,使用8n預(yù)讀取架構(gòu)。它的內(nèi)部數(shù)據(jù)路徑的寬度是8比特,而DDR2是4比特。DDR3的時鐘頻率可設(shè)置成DDR2的一半,實現(xiàn)相同的傳輸速度;或相同的速率,實現(xiàn)雙倍的信息帶寬。
當(dāng)前衛(wèi)星和航天器制造商可用的宇航級SDRAM的選項。
當(dāng)前的宇航SDRAM選項,為了實現(xiàn)下一代高吞吐量衛(wèi)星的服務(wù),未來的載荷需要更快、更大容量、更小尺寸和更低功耗的星載存儲器。小衛(wèi)星星座對尺寸和功耗有更嚴(yán)格的限制,而OEM廠商也需要更大的存儲帶寬實現(xiàn)實時應(yīng)用。

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