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eMMC存儲芯片和高達(dá)8 GB的 microSD產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2020/12/1 18:08:45 訪問次數(shù):947

通過 MATLAB 和 Simulink 進(jìn)行的無線通訊和雷達(dá)設(shè)計(jì)的支持。Release 2013a (R2013a)  Phased Array System Toolbox 和 SimRF兩個(gè)產(chǎn)品的新功能將使無線通訊和雷達(dá)設(shè)計(jì)人員能夠更快地在 MATLAB 和 Simulink 類似環(huán)境中的建模和仿真。

支持任意幾何形狀的傳感器陣列和子陣列的建模,以對線性、平面和共形傳感器陣列進(jìn)行波束方向圖分析;

陣列和目標(biāo)的極化與平臺運(yùn)動(dòng)規(guī)格;

產(chǎn)品種類:參考電壓RoHS:  安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3參考類型:Shunt Precision References輸出電壓:2.048 V初始準(zhǔn)確度:1 %溫度系數(shù):150 PPM/C分流電流—最大值:15 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel準(zhǔn)確性:8 mV 描述/功能:PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE 高度:0.93 mm 長度:2.92 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 產(chǎn)品:Voltage References 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Texas Instruments 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Shunt References 負(fù)載調(diào)節(jié):8 mV 產(chǎn)品類型:Voltage References

無線通信、嵌入式設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)存儲市場推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb(gigabits)的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB(gigabytes)的eMMC存儲芯片和高達(dá)8 GB的 microSD產(chǎn)品,全部采用先進(jìn)的41nm制造工藝。

新產(chǎn)品意味著把先進(jìn)的41nm工藝的應(yīng)用到了客戶需要的產(chǎn)品解決方案和深受市場歡迎的各種容量的存儲器中,產(chǎn)品包括16Gb到32Gb的單片封裝和多片封裝的MLC產(chǎn)品, 2GB到32GB的eMMC Managed NAND產(chǎn)品,以及2GB到8GB的microSD移動(dòng)存儲卡。一款48nm SLC 1Gb NAND產(chǎn)品,為嵌入式和無線應(yīng)用客戶提供性能更優(yōu)、更安全、使用壽命更長的存儲解決方案。

滿足市場對高密度Managed NAND的需求


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

通過 MATLAB 和 Simulink 進(jìn)行的無線通訊和雷達(dá)設(shè)計(jì)的支持。Release 2013a (R2013a)  Phased Array System Toolbox 和 SimRF兩個(gè)產(chǎn)品的新功能將使無線通訊和雷達(dá)設(shè)計(jì)人員能夠更快地在 MATLAB 和 Simulink 類似環(huán)境中的建模和仿真。

支持任意幾何形狀的傳感器陣列和子陣列的建模,以對線性、平面和共形傳感器陣列進(jìn)行波束方向圖分析;

陣列和目標(biāo)的極化與平臺運(yùn)動(dòng)規(guī)格;

產(chǎn)品種類:參考電壓RoHS:  安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3參考類型:Shunt Precision References輸出電壓:2.048 V初始準(zhǔn)確度:1 %溫度系數(shù):150 PPM/C分流電流—最大值:15 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel準(zhǔn)確性:8 mV 描述/功能:PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE 高度:0.93 mm 長度:2.92 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 產(chǎn)品:Voltage References 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Texas Instruments 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Shunt References 負(fù)載調(diào)節(jié):8 mV 產(chǎn)品類型:Voltage References

無線通信、嵌入式設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)存儲市場推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb(gigabits)的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB(gigabytes)的eMMC存儲芯片和高達(dá)8 GB的 microSD產(chǎn)品,全部采用先進(jìn)的41nm制造工藝。

新產(chǎn)品意味著把先進(jìn)的41nm工藝的應(yīng)用到了客戶需要的產(chǎn)品解決方案和深受市場歡迎的各種容量的存儲器中,產(chǎn)品包括16Gb到32Gb的單片封裝和多片封裝的MLC產(chǎn)品, 2GB到32GB的eMMC Managed NAND產(chǎn)品,以及2GB到8GB的microSD移動(dòng)存儲卡。一款48nm SLC 1Gb NAND產(chǎn)品,為嵌入式和無線應(yīng)用客戶提供性能更優(yōu)、更安全、使用壽命更長的存儲解決方案。

滿足市場對高密度Managed NAND的需求


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