運行和閃存塊交換大電流LED雙通道驅動芯片
發(fā)布時間:2020/12/9 13:16:39 訪問次數(shù):1048
在閃存中運行CoreMark算法時,RA4M3 MCU的功耗低至119μA/MHz,在待機模式下功耗低至1.6mA,待機喚醒時間為30μs,這對于長時間在戶外運行的IoT應用至關重要。對于內(nèi)存密集型應用,設計人員可將Quad-SPI和SD卡接口與MCU的片內(nèi)存儲器相結合以增加存儲容量。
運行和閃存塊交換(Flash Bank SWAP)功能非常適合在后臺運行內(nèi)存優(yōu)化的固件更新程序。具有奇偶校驗/ECC功能的大容量片內(nèi)RAM也使RA4M3 MCU成為注重安全的應用的理想選擇。RA4M3 MCU還具備多種集成功能以降低BOM成本,包括電容式觸摸感應、高達1MB的片內(nèi)閃存,以及模擬、通信和連接存儲器的外圍設備。
NU512( 大電流LED雙通道驅動芯片)
50mA的~0.5A,兩個通道恒流
輸出電流可調(diào)的外部元件
~l 12V寬范圍電源電壓3V
1MHz的OE調(diào)光的支持l
400Hz VDD調(diào)光的支持l
0V ~l 17V輸出維持電壓
低輸出電壓l
0.2V中輟80mA的輸出
中輟0.5A的輸出
隨著上述技術能力的不斷發(fā)展,我們對數(shù)據(jù)的理解也在不斷提高。感測融合在上述(大部分)功能中發(fā)揮著重要作用。在年初的博文中,我們介紹了IMU和動作傳感器如何提供額外的安全性,以及通過將用戶偏好與地理位置數(shù)據(jù)結合在一起實現(xiàn)更好的用戶體驗(UX)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
在閃存中運行CoreMark算法時,RA4M3 MCU的功耗低至119μA/MHz,在待機模式下功耗低至1.6mA,待機喚醒時間為30μs,這對于長時間在戶外運行的IoT應用至關重要。對于內(nèi)存密集型應用,設計人員可將Quad-SPI和SD卡接口與MCU的片內(nèi)存儲器相結合以增加存儲容量。
運行和閃存塊交換(Flash Bank SWAP)功能非常適合在后臺運行內(nèi)存優(yōu)化的固件更新程序。具有奇偶校驗/ECC功能的大容量片內(nèi)RAM也使RA4M3 MCU成為注重安全的應用的理想選擇。RA4M3 MCU還具備多種集成功能以降低BOM成本,包括電容式觸摸感應、高達1MB的片內(nèi)閃存,以及模擬、通信和連接存儲器的外圍設備。
NU512( 大電流LED雙通道驅動芯片)
50mA的~0.5A,兩個通道恒流
輸出電流可調(diào)的外部元件
~l 12V寬范圍電源電壓3V
1MHz的OE調(diào)光的支持l
400Hz VDD調(diào)光的支持l
0V ~l 17V輸出維持電壓
低輸出電壓l
0.2V中輟80mA的輸出
中輟0.5A的輸出
隨著上述技術能力的不斷發(fā)展,我們對數(shù)據(jù)的理解也在不斷提高。感測融合在上述(大部分)功能中發(fā)揮著重要作用。在年初的博文中,我們介紹了IMU和動作傳感器如何提供額外的安全性,以及通過將用戶偏好與地理位置數(shù)據(jù)結合在一起實現(xiàn)更好的用戶體驗(UX)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)