HDD磁頭的播放元件應(yīng)用了電阻因外部磁場而變的磁阻效應(yīng)(Magnetoresistance effect)的原理，在1980年代以后，經(jīng)歷了AMR(各向異性磁阻效應(yīng)：Anisotropic magnetoresistance effect)元件、GMR(巨磁阻效應(yīng)：Giant magnetoresistance effect)元件、TMR(穿隧磁阻效應(yīng)：Tunnel magnetoresistance effect)元件，技術(shù)逐漸進(jìn)步，推進(jìn)了HDD的記錄密度飛躍性的提高。各種元件的結(jié)構(gòu)。

AMR元件、GMR元件、TMR元件的結(jié)構(gòu),TMR元件的磁性結(jié)構(gòu)與GMR元件基本相同，但GMR元件的電流平行于膜面流過，而TMR元件的電流垂直于膜面流過。

4.99K歐電阻表示方法: 4991 4.99KR 4.99KΩ 4990歐姆 4990ohm

10K歐電阻表示方法: 1002 10KR 10KΩ 10000歐姆 10000ohm

33K歐電阻表示方法: 3302 33KR 33KΩ 33000歐姆 33000ohm

49.9K歐電阻表示方法: 4992 49.9KR 49.9KΩ 49900歐姆 49900ohm

59K歐電阻表示方法: 5902 59KR 59KΩ 59000歐姆 59000ohm

100K歐電阻表示方法: 1003 100KR 100KΩ 100000歐姆 100000ohm

200K歐電阻表示方法: 2003 200KR 200KΩ 200000歐姆 200000ohm

499K歐電阻表示方法: 4993 499KR 499KΩ 499000歐姆 499000ohm

510K歐電阻表示方法: 5103 510KR 510KΩ 510000歐姆 510000ohm

750K歐電阻表示方法: 7503 750KR 750KΩ 750000歐姆 750000ohm

10M歐電阻表示方法: 1005 10MR 10MΩ 10000000歐姆 10000000ohm

電流從外部基準(zhǔn)電壓源經(jīng)由電阻分壓器流向輸出電壓。

TDK的TMR傳感器是一種新型的磁性傳感器，應(yīng)用了HHD磁頭的高靈敏度播放元件——TMR元件。

IC的反饋電壓(VFB)、所需的輸出電壓(VOUT)、外加正極直流偏置電壓(VOFFSET)，以及電阻分壓器的電阻R1和R2之間關(guān)系。

雖然電動(dòng)汽車沒有發(fā)動(dòng)機(jī)，但電池產(chǎn)生的大電流會(huì)導(dǎo)致溫度升高。電池也可以在非常低的溫度下使用，這取決于車輛的使用地點(diǎn)。

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