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IGBT的開關(guān)損耗頻率間產(chǎn)生互調(diào)失真

發(fā)布時間:2020/12/15 23:06:34 訪問次數(shù):1328

晶體管功放俗稱“石機(jī)”,是音響系統(tǒng)中最基本的設(shè)備,電子管功放——“膽機(jī)”。電子管功放一直占各種音響設(shè)備的統(tǒng)治地位,由于其聲音具有溫暖耐聽、音樂感好的特點(diǎn)而廣受消費(fèi)者的青睞。在晶體管產(chǎn)生后,其憑借著“體積小,耗電省”而逐漸取代了電子管,成功的獨(dú)霸聲頻領(lǐng)域音響裝備的“一哥”地位。

通常為了獲得更高的閉環(huán)特性,我們會在晶體管功放施加深度達(dá)40db~50db的大環(huán)路負(fù)反饋,但這一做法往往會造成音質(zhì)差、聲音不夠柔和和電路穩(wěn)定性差、易自激等通;

晶體管脫離放大區(qū)會產(chǎn)生非單一頻率的開關(guān)失真,從而還會導(dǎo)致各頻率間產(chǎn)生互調(diào)失真,這些都是最終造成晶體管功聽感和莫名燒高音喇叭的主要原因。

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS: 詳細(xì)信息 系列:MT51J 封裝:Tray 商標(biāo):Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1260 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.432 g

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-78 系列:MT41K 封裝:Tray 商標(biāo):Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1440 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:3.366 g

在應(yīng)用方面國產(chǎn)MOS管常被應(yīng)用于中小功率應(yīng)用,例如手機(jī)、VCD、變頻器和開關(guān)電源。

IGBT是絕緣柵雙極型、集MOS管與GTR優(yōu)點(diǎn)于一身的新型復(fù)合型器件,除了有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動型,又具備飽和壓低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。

在應(yīng)用方面,由于IGBT的開關(guān)損耗比較大,因此IGBT比較適用于中低頻應(yīng)用,且在實(shí)際應(yīng)用時外圍需要較多的保護(hù)線路。與國產(chǎn)MOS管相比IGBT,在高壓電流下, IGBT的Vce在的損耗比MOS管的低,因此在大功率應(yīng)用中更占優(yōu)勢。此外由于IGBT有電流拖尾現(xiàn)象,在應(yīng)用時應(yīng)盡量零電流關(guān)斷減少損耗。



(素材來源:icgu和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


晶體管功放俗稱“石機(jī)”,是音響系統(tǒng)中最基本的設(shè)備,電子管功放——“膽機(jī)”。電子管功放一直占各種音響設(shè)備的統(tǒng)治地位,由于其聲音具有溫暖耐聽、音樂感好的特點(diǎn)而廣受消費(fèi)者的青睞。在晶體管產(chǎn)生后,其憑借著“體積小,耗電省”而逐漸取代了電子管,成功的獨(dú)霸聲頻領(lǐng)域音響裝備的“一哥”地位。

通常為了獲得更高的閉環(huán)特性,我們會在晶體管功放施加深度達(dá)40db~50db的大環(huán)路負(fù)反饋,但這一做法往往會造成音質(zhì)差、聲音不夠柔和和電路穩(wěn)定性差、易自激等通;

晶體管脫離放大區(qū)會產(chǎn)生非單一頻率的開關(guān)失真,從而還會導(dǎo)致各頻率間產(chǎn)生互調(diào)失真,這些都是最終造成晶體管功聽感和莫名燒高音喇叭的主要原因。

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS: 詳細(xì)信息 系列:MT51J 封裝:Tray 商標(biāo):Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1260 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.432 g

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在應(yīng)用方面國產(chǎn)MOS管常被應(yīng)用于中小功率應(yīng)用,例如手機(jī)、VCD、變頻器和開關(guān)電源。

IGBT是絕緣柵雙極型、集MOS管與GTR優(yōu)點(diǎn)于一身的新型復(fù)合型器件,除了有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動型,又具備飽和壓低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。

在應(yīng)用方面,由于IGBT的開關(guān)損耗比較大,因此IGBT比較適用于中低頻應(yīng)用,且在實(shí)際應(yīng)用時外圍需要較多的保護(hù)線路。與國產(chǎn)MOS管相比IGBT,在高壓電流下, IGBT的Vce在的損耗比MOS管的低,因此在大功率應(yīng)用中更占優(yōu)勢。此外由于IGBT有電流拖尾現(xiàn)象,在應(yīng)用時應(yīng)盡量零電流關(guān)斷減少損耗。



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