5V輸出的低壓差正可調(diào)穩(wěn)壓器LM1084

發(fā)布時間:2020/12/10 20:23:55 訪問次數(shù):1687

輸出穩(wěn)定度對于任何電源設計而言都是一項關(guān)鍵問題。由于線性穩(wěn)壓器簡單易用（多數(shù)線性穩(wěn)壓器只有三個插腳），所以很容易忘記這一點的重要性。雖然目前具有許多能夠確保輸出穩(wěn)定的技術(shù)，但最簡單且最經(jīng)濟有效的方案是添加或使用輸出電容器的等效串聯(lián)電阻（ESR）。

帶5V輸出的低壓差正可調(diào)穩(wěn)壓器LM1084為例。LM1084能夠為負載提供的電流為5A，它在可能存在大電流尖峰時能夠發(fā)揮作用。它還是一種準穩(wěn)壓器，即傳輸晶體管是一種由PNP晶體管驅(qū)動的單NPN晶體管。因其內(nèi)部架構(gòu)所需，準穩(wěn)壓器的輸出電容器中一般需要部分ESR來確保穩(wěn)定度。

AT24C32AN-10SU-2.7

ATMEL(國產(chǎn))

15+

SOP8

低電壓與標準電壓操作

–2.7（的VCC = 2.7V至5.5V）

–1.8（的VCC = 1.8V至5.5V）

存儲器容量:32Kbit

存儲器配置:4K x 8bit

2-Wire串行接口

時鐘頻率:1MHz

電源電壓范圍:1.8V to 3.6V

工作溫度范圍:-40°C to +85°C

存儲類型:EEPROM

高可靠性：讀寫次數(shù)：1,000,000次–數(shù)據(jù)保存：100年

鉭電容器和電解電容器的ESR足以確保穩(wěn)定度，但由于設計的空間要求越來越受限，因此尺寸較小的陶瓷電容器成為了理想選擇。由于陶瓷電容器幾乎不存在任何ESR，因此添加外部串聯(lián)電阻只是用來模擬其行為。

新開發(fā)的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法，成功地預防了絕緣擊穿，并抑制了漏電流※1）的增加。在高溫高濕反偏試驗（HV-H3TRB）※2）中，實現(xiàn)了極高的可靠性，超過1,000小時也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象。從此，在高溫高濕度環(huán)境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。

模塊中采用了ROHM產(chǎn)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（SBD），通過優(yōu)化模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使導通電阻性能比與同等SiC產(chǎn)品優(yōu)異10％，非常有助于應用進一步節(jié)能。