鑒于與線路數(shù)據(jù)相關的延遲是固定的，且與位速率相關，使用低延遲組件（例如ADIN1200 PHY和fido5000嵌入式開關）將是優(yōu)化性能的關鍵，尤其是在節(jié)點數(shù)量增加（例如，12軸CNC機床），周期時間縮短時。

類型：頂部安裝冷卻封裝：分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……）接合方法：推腳形狀：方形，鰭片長度：1.575"（40.00mm）寬度：1.575"（40.00mm）離基底高度（鰭片高度）：0.790"（20.00mm）不同強制氣流時的熱阻：12.42°C/W @ 100 LFM材料：鋁材料鍍層：藍色陽極氧化處理無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

輸出配置：正輸出類型：固定穩(wěn)壓器數(shù)：1電壓 - 輸入（最大值）：18V電壓 - 輸出（最小值/固定）：1.8V壓降（最大值）：1.4V @ 1A電流 - 輸出：1A電流 - 靜態(tài)（Iq)：10mAPSRR：60dB（180Hz）保護功能：過流，超溫工作溫度：0°C ~ 125°C安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63供應商器件封裝：TO-252-3無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

Activate (激活)命令向SDRAM發(fā)送一個行地址，打開內(nèi)存的一個行(頁面)。然后是一個Deselect (反選)命令序列，在對列地址發(fā)送Read 或Write 命令前滿足定時要求。一旦使用AcTIvate命令打開內(nèi)存的行(頁面)，那么可以在內(nèi)存的該行(頁面)上運行多個Read和Write命令。要求Precharge(預充電)命令，關閉該行，然后才能打開另一行。

通過提高時鐘速率、突發(fā)數(shù)據(jù)及每個時鐘周期傳送兩個數(shù)據(jù)位(參見表1)，DDR (雙倍數(shù)據(jù)速率) SDRAM 提高了內(nèi)存數(shù)據(jù)速率性能。DDR SDRAM 在一條讀取命令或一條寫入命令中突發(fā)多個內(nèi)存位置。