一個簡單的步進/方向接口使控制器電路易于接口。引腳允許配置電機在全步，半步，四分之一步，或八步模式。衰減模式和PWM關斷時間可編程。內置過流保護、短路保護、欠壓鎖定、過溫關閉功能。

擴展系統(tǒng)公司的應用軟件開發(fā)工具包(SDK)為企業(yè)提供了在微軟嵌入式可視圖像環(huán)境下使用的一套完整的工具，用于開發(fā)支持客戶應用的移動應用程序。

三個放大器使用Qorvo生產發(fā)布QGaN15工藝技術制造。

制造商

NXP USA Inc.

制造商零件編號

BF908R,235

描述

MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143

對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）

詳細描述 射頻-Mosfet-N-通道雙門-pval-2140-pval-2159-200MHz-SOT-143R

晶體管類型 N 通道雙門

頻率 200MHz

增益 -

電壓 - 測試 8V

額定電流（安培） 40mA

噪聲系數 0.6dB

電流 - 測試 15mA

功率 - 輸出 -

電壓 - 額定 12V

封裝/外殼 SOT-143R

供應商器件封裝 SOT-143R

在27-31GHz的Ka波段，該TGA2594-HM提供的飽和輸出功率和25分貝線性增益4W在密封，QFN封裝。該TGA2595-CP提供的飽和輸出功率和21分貝線性增益的8W散熱優(yōu)良的銅底座螺栓固定式封裝。兩個設備分別具有25％和22％，鄰苯二甲酸酯。

一種高性能，低功耗的組合式存儲器，它把16M位雙組閃存和8M位的SRAM集合在單一的節(jié)省空間的球柵陣列(BGA)封裝。

8M位 組合存儲器，不得不使用32M 位閃存。而使用SST34HF1681 組合存儲器，低成本便攜式設備的設計者在使用SRAM的時候，可以不必因為要增加閃存而提高設備的成本。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）