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50A單脈沖和重復(fù)脈沖不鉗位感性電涌能力

發(fā)布時(shí)間:2020/12/25 19:45:27 訪問(wèn)次數(shù):587

由于管腳是扁平的,所以CLCC封裝的頂部是平直的,從而可以對(duì)高度實(shí)現(xiàn)更加精確的布局,進(jìn)而更加迅速、簡(jiǎn)便地對(duì)光進(jìn)行調(diào)節(jié)。新的封裝還增強(qiáng)了熱性能,可以在更廣泛的溫度范圍內(nèi)保證工作的穩(wěn)定性。

新器件的特點(diǎn)表明我們致力于為客戶(hù)提供高性能、低能耗、與眾不同的系統(tǒng)。作為交換機(jī)和路由器半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先的廠商,我們可縮短高質(zhì)量的器件和開(kāi)發(fā)工具的上市時(shí)間,為顧客提供所要求的性能、密度和特色。

制造商:Microchip 產(chǎn)品種類(lèi):運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:5.5 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:300 kHz 每個(gè)通道的輸出電流:23 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :0.1 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV 電源電壓-最小:1.8 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:1100 pA 工作電源電流:20 uA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:61 dB en - 輸入電壓噪聲密度:52 nV/sqrt Hz 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類(lèi)型:Operational Amplifiers 高度:1.25 mm (Min) 長(zhǎng)度:4.9 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類(lèi)型:Single 技術(shù):CMOS 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Microchip Technology In—輸入噪聲電流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 濕度敏感性:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 5.5 V 產(chǎn)品類(lèi)型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:83 dB 3300 子類(lèi)別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:110 dB 單位重量:540 mg

FDB045AN08A0, FDP047AN08A0和FDD16AN08A0 N- MOSFET,據(jù)稱(chēng)在42V汽車(chē)電子市場(chǎng)中,室溫的導(dǎo)通電阻RDS(on)是最低的,4.5m歐姆。當(dāng)用多個(gè)器件并聯(lián)來(lái)控制大功率負(fù)載時(shí),符合AECQ101標(biāo)準(zhǔn)的75V器件要有低柵電荷,以限制驅(qū)動(dòng)電流的要求。

其指標(biāo)如下:導(dǎo)通電阻RDS(on) 4.5到16m歐姆,總電荷:47到138nC,抗50A單脈沖和重復(fù)脈沖不鉗位感性電涌能力為600mJ。器件封裝為T(mén)O-264,TO-220和TO-252。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

由于管腳是扁平的,所以CLCC封裝的頂部是平直的,從而可以對(duì)高度實(shí)現(xiàn)更加精確的布局,進(jìn)而更加迅速、簡(jiǎn)便地對(duì)光進(jìn)行調(diào)節(jié)。新的封裝還增強(qiáng)了熱性能,可以在更廣泛的溫度范圍內(nèi)保證工作的穩(wěn)定性。

新器件的特點(diǎn)表明我們致力于為客戶(hù)提供高性能、低能耗、與眾不同的系統(tǒng)。作為交換機(jī)和路由器半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先的廠商,我們可縮短高質(zhì)量的器件和開(kāi)發(fā)工具的上市時(shí)間,為顧客提供所要求的性能、密度和特色。

制造商:Microchip 產(chǎn)品種類(lèi):運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:5.5 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:300 kHz 每個(gè)通道的輸出電流:23 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :0.1 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV 電源電壓-最小:1.8 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:1100 pA 工作電源電流:20 uA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:61 dB en - 輸入電壓噪聲密度:52 nV/sqrt Hz 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類(lèi)型:Operational Amplifiers 高度:1.25 mm (Min) 長(zhǎng)度:4.9 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類(lèi)型:Single 技術(shù):CMOS 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Microchip Technology In—輸入噪聲電流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 濕度敏感性:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 5.5 V 產(chǎn)品類(lèi)型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:83 dB 3300 子類(lèi)別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:110 dB 單位重量:540 mg

FDB045AN08A0, FDP047AN08A0和FDD16AN08A0 N- MOSFET,據(jù)稱(chēng)在42V汽車(chē)電子市場(chǎng)中,室溫的導(dǎo)通電阻RDS(on)是最低的,4.5m歐姆。當(dāng)用多個(gè)器件并聯(lián)來(lái)控制大功率負(fù)載時(shí),符合AECQ101標(biāo)準(zhǔn)的75V器件要有低柵電荷,以限制驅(qū)動(dòng)電流的要求。

其指標(biāo)如下:導(dǎo)通電阻RDS(on) 4.5到16m歐姆,總電荷:47到138nC,抗50A單脈沖和重復(fù)脈沖不鉗位感性電涌能力為600mJ。器件封裝為T(mén)O-264,TO-220和TO-252。


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