WARP2 600V 50A，35A和20A不穿通(NPT)的IGBT，改善了通信和服務(wù)器系統(tǒng)中大電流高頻開關(guān)電源(SMPS)的關(guān)斷性能。新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/價(jià)比提供性能和效率。

WARP2 IGBT和HEXFRED二極管共同封在一起，和早期的在功率MOSFET集成的體二極管相比，有更好的性能。新器件的封裝有兩種：TO-247和TO-220。

新型SMPS NPT IGBT在TO-247封裝能處理50A的電流，比同樣封裝的IR公司的600V MOSFET多25%的電流容量。

制造商:Intel 產(chǎn)品種類:固態(tài)硬盤 - SSD RoHS:  系列: 存儲(chǔ)容量:1.5 TB 產(chǎn)品:PCIe SSD 外觀尺寸:HHHL (CEM3.0) 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 85 C 連續(xù)寫入:2200 MB/s 連續(xù)讀取:2600 MB/s 代碼名稱:Mansion Beach 商標(biāo):Intel 接口類型:PCIe 產(chǎn)品類型:Solid State Drives - SSD 1 子類別:Memory & Data Storage 商標(biāo)名: 零件號(hào)別名:945763 單位重量:230 g

新型WARP 2 IGBT采用IR的薄硅晶片技術(shù)制造，能保證少數(shù)載流子的耗盡時(shí)間更短，從而加快關(guān)斷。此外，可以忽略關(guān)斷尾巴電流，關(guān)斷開關(guān)損耗低或EOFF，使設(shè)計(jì)者能達(dá)到更高的工作頻率。

開關(guān)性能的改進(jìn)以及正熱系數(shù)特性以及更低柵極導(dǎo)通電荷，有更高的電流密度。

在TO-220封裝，能處理20A電流，比IR的 600V MOSFET能處理多18%的電流。

和Zarlink公司的MT90880/1/2/3包處理器一起，交換能進(jìn)入有利可圖的TDM接入服務(wù)，如T1/E1租用線路，在以太網(wǎng)鏈接上提供載體級(jí)質(zhì)量。

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