ICH2能直接從圖像和存儲器進行連接，以便更快存取到外設，提供擴展性PC所需的性能和帶寬。此外，850芯片組還會加強終端用戶的音頻，視頻，娛樂和互聯(lián)網(wǎng)應用。

400MHz系統(tǒng)總線(850和850E芯片組)在奔騰4 處理器和平臺之間具有高帶寬連接。為了保證最好的性能，系統(tǒng)總線在3.2GB/s時在兩個RDRAM通道之間平衡，提供奔騰3處理器平臺三倍的帶寬。

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制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:250 mA Rds On-漏源導通電阻:5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 類型:Enhancement Mode Field Effect Transistor 寬度:1.3 mm 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:80 mS 產(chǎn)品類型:MOSFET 3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:5 ns 典型接通延遲時間:2 ns 單位重量:8 mg

單刀單擲(SPST)開關ISL84516和ISL84517。兩種開關工作在±1.5到±6V的雙電源，ISL84516是長開(NO)，而ISL84517則是長閉(NC)。

這些開關目標應用在空間和電源都嚴格控制的手提設備如醫(yī)療，通信，多媒體和測試設備。

1nA的低漏電流延長了取樣保持電路的保持時間。

tON=40ns, tOFF=30ns的快開關時間降低了時間敏感應用的傳輸延遲，其注入的電荷為10pC,提升了信號的完整性。