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高速USB 2.0收發(fā)器雙模式的轉(zhuǎn)換的低電壓數(shù)字系統(tǒng)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/13 12:42:22 訪問次數(shù):865

LM2608 及 LM2618 都屬于雙模式的轉(zhuǎn)換器,最適合手機(jī)的低電壓數(shù)字系統(tǒng)采用。LM2608 轉(zhuǎn)換器可在高電流負(fù)載下支持脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 的操作模式,若負(fù)載較低,則可改用線性模式,使靜態(tài)電流 (Iq) 可以降低至只有 20 mA (microamp)。

LM2618 芯片與 LM2608 芯片一樣,可在高電流負(fù)載下支持脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 的操作模式。

這兩款轉(zhuǎn)換器也有脈沖頻率調(diào)制 (PFM) 模式可供選用,而這個(gè)模式最適合處理低層次的支持性工作,尤其是驅(qū)動(dòng) 1 至 50 mA 的負(fù)載時(shí)可以發(fā)揮最高的效率。

晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™ 6

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

15A(Ta),40A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)

6.3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),38W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

40V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)

9.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)

650pF @ 20V

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSZ063


TX2是一個(gè)獨(dú)立的高速USB 2.0收發(fā)器,符合USB 2.0 Transceiver Macrocell Interface(UTMI)規(guī)范。

它還可以支持更輕松靈活的母板布線和使用比現(xiàn)有并行ATA技術(shù)使用的連接器更小的產(chǎn)品。得益于串行ATA II規(guī)范之優(yōu)勢(shì)的技術(shù)將為存儲(chǔ)接口提供滿足未來10年計(jì)算機(jī)需要的性能。

CY7C68000已經(jīng)成功地通過了USB Implementers Forum(USB-IF)設(shè)定的全套一致性測(cè)試。

這一器件將被添加到USB-IF Intergrators List上,這對(duì)USB開發(fā)商而言意味著它已經(jīng)達(dá)到了USB 2.0器件的嚴(yán)格規(guī)范要求,也進(jìn)一步增強(qiáng)了賽普拉斯?jié)M足規(guī)范要求的USB-IF產(chǎn)品的家族陣容。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

LM2608 及 LM2618 都屬于雙模式的轉(zhuǎn)換器,最適合手機(jī)的低電壓數(shù)字系統(tǒng)采用。LM2608 轉(zhuǎn)換器可在高電流負(fù)載下支持脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 的操作模式,若負(fù)載較低,則可改用線性模式,使靜態(tài)電流 (Iq) 可以降低至只有 20 mA (microamp)。

LM2618 芯片與 LM2608 芯片一樣,可在高電流負(fù)載下支持脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 的操作模式。

這兩款轉(zhuǎn)換器也有脈沖頻率調(diào)制 (PFM) 模式可供選用,而這個(gè)模式最適合處理低層次的支持性工作,尤其是驅(qū)動(dòng) 1 至 50 mA 的負(fù)載時(shí)可以發(fā)揮最高的效率。

晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™ 6

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

15A(Ta),40A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)

6.3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),38W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

40V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)

9.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)

650pF @ 20V

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSZ063


TX2是一個(gè)獨(dú)立的高速USB 2.0收發(fā)器,符合USB 2.0 Transceiver Macrocell Interface(UTMI)規(guī)范。

它還可以支持更輕松靈活的母板布線和使用比現(xiàn)有并行ATA技術(shù)使用的連接器更小的產(chǎn)品。得益于串行ATA II規(guī)范之優(yōu)勢(shì)的技術(shù)將為存儲(chǔ)接口提供滿足未來10年計(jì)算機(jī)需要的性能。

CY7C68000已經(jīng)成功地通過了USB Implementers Forum(USB-IF)設(shè)定的全套一致性測(cè)試。

這一器件將被添加到USB-IF Intergrators List上,這對(duì)USB開發(fā)商而言意味著它已經(jīng)達(dá)到了USB 2.0器件的嚴(yán)格規(guī)范要求,也進(jìn)一步增強(qiáng)了賽普拉斯?jié)M足規(guī)范要求的USB-IF產(chǎn)品的家族陣容。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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