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不同的頻率對(duì)四個(gè)單獨(dú)的處理器/總線讀和寫(xiě)差分LVDS輸出

發(fā)布時(shí)間:2021/4/13 12:46:20 訪問(wèn)次數(shù):701

新的可編程超低抖動(dòng)/超低相位噪音LVDS時(shí)鐘合成器ICS8442,它提供成本效率的高性能有廣泛應(yīng)用的LVDS基準(zhǔn)時(shí)鐘,它包括高速串行器/解串行器(SERDES)和網(wǎng)絡(luò)處理器。

ICS8442的抖動(dòng)特性如下(典型值):時(shí)鐘到時(shí)鐘抖動(dòng)為15ps,周期抖動(dòng)(RMS)為3ps.

ICS8442采用晶體振蕩器或單端基準(zhǔn)時(shí)鐘(10MHz-25MHz),合成兩個(gè)差分LVDS輸出,其頻率范圍為25MHz-700MHz。

輸出頻率可用3線串行接口或用11內(nèi)部分頻器控制引腳高或低電平來(lái)進(jìn)行編程。

晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

15A(Ta),40A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)

5.8 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),45W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TSDSON-8

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

30V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)

30nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)

2400pF @ 15V

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSZ058

IDT同步四端口器件,有兩種密度:1-Mbit (64Kx18) 和0.5-Mbit (32Kx18),能以不同的頻率同時(shí)對(duì)四個(gè)單獨(dú)的處理器/總線讀和寫(xiě)。

器件的速度和結(jié)構(gòu)給設(shè)計(jì)者提供了空前的數(shù)據(jù)吞吐量14Gbps(200MHzx18bpsx4端口)。

和其它同類產(chǎn)品不同,IDT的四端口器件在所有的密度和速度都有增強(qiáng)的計(jì)數(shù)器控制,使用戶遷移密度時(shí)保持計(jì)數(shù)器控制功能。

除了272針BGA封裝,該產(chǎn)品也有最小的256針BGA封裝,是板的面積節(jié)省達(dá)60%。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

新的可編程超低抖動(dòng)/超低相位噪音LVDS時(shí)鐘合成器ICS8442,它提供成本效率的高性能有廣泛應(yīng)用的LVDS基準(zhǔn)時(shí)鐘,它包括高速串行器/解串行器(SERDES)和網(wǎng)絡(luò)處理器。

ICS8442的抖動(dòng)特性如下(典型值):時(shí)鐘到時(shí)鐘抖動(dòng)為15ps,周期抖動(dòng)(RMS)為3ps.

ICS8442采用晶體振蕩器或單端基準(zhǔn)時(shí)鐘(10MHz-25MHz),合成兩個(gè)差分LVDS輸出,其頻率范圍為25MHz-700MHz。

輸出頻率可用3線串行接口或用11內(nèi)部分頻器控制引腳高或低電平來(lái)進(jìn)行編程。

晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

15A(Ta),40A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)

5.8 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),45W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TSDSON-8

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

30V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)

30nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)

2400pF @ 15V

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSZ058

IDT同步四端口器件,有兩種密度:1-Mbit (64Kx18) 和0.5-Mbit (32Kx18),能以不同的頻率同時(shí)對(duì)四個(gè)單獨(dú)的處理器/總線讀和寫(xiě)。

器件的速度和結(jié)構(gòu)給設(shè)計(jì)者提供了空前的數(shù)據(jù)吞吐量14Gbps(200MHzx18bpsx4端口)。

和其它同類產(chǎn)品不同,IDT的四端口器件在所有的密度和速度都有增強(qiáng)的計(jì)數(shù)器控制,使用戶遷移密度時(shí)保持計(jì)數(shù)器控制功能。

除了272針BGA封裝,該產(chǎn)品也有最小的256針BGA封裝,是板的面積節(jié)省達(dá)60%。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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