USB PD充電技術(shù)能將充電能力擴(kuò)大到最高100W
發(fā)布時(shí)間:2021/4/17 21:27:36 訪問(wèn)次數(shù):974
超低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品——WMJ120N60CM,采用常規(guī) TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS,導(dǎo)通電阻Rdson低至16.5mΩ,能夠有效提升電源功率密度,解決應(yīng)用痛點(diǎn)。
在品質(zhì)因數(shù)FOM(Rdson*Qg)方面,WMJ120N60CM達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。
在3.3KW PFC模塊電路測(cè)試中,WMJ120N60CM和行業(yè)某知名廠商的65R019C7效率幾乎無(wú)差異,甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對(duì)應(yīng)的輸入功耗小了1~4W。

RA6M5產(chǎn)品群的關(guān)鍵特性
運(yùn)行模式下,僅107μA/MHz超低功耗(以200MHz在閃存運(yùn)行CoreMark算法時(shí));喚醒時(shí)間30μs
支持TrustZone技術(shù)的200MHz主頻Arm Cortex-M33內(nèi)核
包含瑞薩安全加密引擎的完整安全解決方案
100引腳至176引腳的LQFP封裝,也可提供176BGA封裝
片上集成1MB、1.5MB或2MB閃存;512KB SRAM(包括64KB ECC RAM)
電容式觸摸感應(yīng)單元
閃存后臺(tái)運(yùn)行功能(BGO)/閃存塊交換功能
CAN FD或CAN接口
帶有獨(dú)立DMA的以太網(wǎng)MAC
全速及高速USB 2.0,無(wú)需外接專用晶體
高級(jí)模擬工廠,支持兩個(gè)ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)單元
QuadSPI和OctaSPI接口
SDHI
由于USB接口是全球通用的,因此有望擴(kuò)展應(yīng)用到基礎(chǔ)設(shè)施上,例如替換不同國(guó)家需要轉(zhuǎn)換的AC電源插座,將當(dāng)前流行的USB插座都USB PD化以及車內(nèi)安裝USB PD端口等。
由于電力供應(yīng)和通信只需要一根USB type-C電纜就能完成,從減少零部件的角度來(lái)看,今后支持USB PD的設(shè)備將會(huì)增加。
超低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品——WMJ120N60CM,采用常規(guī) TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS,導(dǎo)通電阻Rdson低至16.5mΩ,能夠有效提升電源功率密度,解決應(yīng)用痛點(diǎn)。
在品質(zhì)因數(shù)FOM(Rdson*Qg)方面,WMJ120N60CM達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。
在3.3KW PFC模塊電路測(cè)試中,WMJ120N60CM和行業(yè)某知名廠商的65R019C7效率幾乎無(wú)差異,甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對(duì)應(yīng)的輸入功耗小了1~4W。

RA6M5產(chǎn)品群的關(guān)鍵特性
運(yùn)行模式下,僅107μA/MHz超低功耗(以200MHz在閃存運(yùn)行CoreMark算法時(shí));喚醒時(shí)間30μs
支持TrustZone技術(shù)的200MHz主頻Arm Cortex-M33內(nèi)核
包含瑞薩安全加密引擎的完整安全解決方案
100引腳至176引腳的LQFP封裝,也可提供176BGA封裝
片上集成1MB、1.5MB或2MB閃存;512KB SRAM(包括64KB ECC RAM)
電容式觸摸感應(yīng)單元
閃存后臺(tái)運(yùn)行功能(BGO)/閃存塊交換功能
CAN FD或CAN接口
帶有獨(dú)立DMA的以太網(wǎng)MAC
全速及高速USB 2.0,無(wú)需外接專用晶體
高級(jí)模擬工廠,支持兩個(gè)ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)單元
QuadSPI和OctaSPI接口
SDHI
由于USB接口是全球通用的,因此有望擴(kuò)展應(yīng)用到基礎(chǔ)設(shè)施上,例如替換不同國(guó)家需要轉(zhuǎn)換的AC電源插座,將當(dāng)前流行的USB插座都USB PD化以及車內(nèi)安裝USB PD端口等。
由于電力供應(yīng)和通信只需要一根USB type-C電纜就能完成,從減少零部件的角度來(lái)看,今后支持USB PD的設(shè)備將會(huì)增加。
熱門點(diǎn)擊
- 外接輸出檢測(cè)電阻可調(diào)整精確的輸出電流
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- 400kbps 的速度將單主I2C總線及AC
- USB PD充電技術(shù)能將充電能力擴(kuò)大到最高1
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