功率模塊的額定結(jié)溫為175°C，而柵極驅(qū)動器的額定環(huán)境溫度為125°C，通過AlSiC扁平底板冷卻，熱阻較低、耐熱性強。

CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動器的整體融合設(shè)計，且可通過仔細調(diào)整dv/dt去實現(xiàn)控制，通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM，從而將開關(guān)能量損耗降至最低。

模塊的安全運行區(qū)域（RBSOA）允許直流總線電壓高達880V、峰值電流高達600A，從而使得800V電池電壓系統(tǒng)的應(yīng)用是絕對安全的。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-723-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:200 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:0.5 mm 長度:1.2 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 類型:MOSFET 寬度:0.8 mm 商標:ROHM Semiconductor 下降時間:6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:6 ns 8000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:35 ns 典型接通延遲時間:9 ns 零件號別名:RTM002P02 單位重量:1 mg

2Mbit AT25EU0021A可在10ms以內(nèi)執(zhí)行整顆芯片的擦除，而消耗的電能低于競爭方案所需的1%。競爭方案可能需要整整1秒或更長的時間來執(zhí)行相同的操作。

實現(xiàn)更快、功耗更低的擦除操作，可以提升設(shè)備的軟件無線更新（OTA）、事件跟蹤、數(shù)據(jù)記錄活動等功能的效率。

SPI NOR Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)的突破性低能耗和高性能，印證了Dialog致力于提升IoT設(shè)備性能同時降低功耗和成本的承諾。

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