VPX堆疊連接器MULTIGIG RT 2-R壓配接觸系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2021/5/10 19:22:24 訪問(wèn)次數(shù):1409
VPX堆疊連接器使用了業(yè)界公認(rèn)的MULTIGIG RT 2-R壓配接觸系統(tǒng)。該連接器經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),具有通用性,可以填充全部和部分插槽外形堅(jiān)固,可滿足行業(yè)需求。
還可選擇預(yù)裝或單獨(dú)提供散熱片,以允許設(shè)計(jì)者在首選的情況下使用傳統(tǒng)對(duì)流或強(qiáng)制空氣冷卻。
該系列有五種型號(hào)可選,提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的單輸出電壓。高達(dá)90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產(chǎn)生,并在一個(gè)僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸(57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半磚封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)20W/in3的出色功率密度。
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類(lèi):NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 系列: 存儲(chǔ)容量:256 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):35 mA 接口類(lèi)型:SPI 最大時(shí)鐘頻率:133 MHz 組織:32 M x 8 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 速度:133 MHz 商標(biāo):Micron 電源電流—最大值:35 mA 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類(lèi)型:NOR Flash 1920 子類(lèi)別:Memory & Data Storage 單位重量:2.592 g
ROHM利用自有的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V,這將有助于提高采用高效率的GaN器件的電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性。
采用這種封裝不僅可以通過(guò)更低的寄生電感更好地發(fā)揮出器件的性能,還使產(chǎn)品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性,從而可以使現(xiàn)有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。
ROHM將加快使用該技術(shù)的GaN器件開(kāi)發(fā)速度,預(yù)計(jì)于2021年9月即可開(kāi)始提供產(chǎn)品樣品。采用ROHM自有結(jié)構(gòu),將柵極-源極間額定電壓提高至8V.

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
V堆疊連接器使用了業(yè)界公認(rèn)的MULTIGIG RT 2-R壓配接觸系統(tǒng)。該連接器經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),具有通用性,可以填充全部和部分插槽外形堅(jiān)固,可滿足行業(yè)需求。
還可選擇預(yù)裝或單獨(dú)提供散熱片,以允許設(shè)計(jì)者在首選的情況下使用傳統(tǒng)對(duì)流或強(qiáng)制空氣冷卻。
該系列有五種型號(hào)可選,提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的單輸出電壓。高達(dá)90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產(chǎn)生,并在一個(gè)僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸(57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半磚封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)20W/in3的出色功率密度。
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類(lèi):NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 系列: 存儲(chǔ)容量:256 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):35 mA 接口類(lèi)型:SPI 最大時(shí)鐘頻率:133 MHz 組織:32 M x 8 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 速度:133 MHz 商標(biāo):Micron 電源電流—最大值:35 mA 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類(lèi)型:NOR Flash 1920 子類(lèi)別:Memory & Data Storage 單位重量:2.592 g
ROHM利用自有的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V,這將有助于提高采用高效率的GaN器件的電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性。
采用這種封裝不僅可以通過(guò)更低的寄生電感更好地發(fā)揮出器件的性能,還使產(chǎn)品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性,從而可以使現(xiàn)有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。
ROHM將加快使用該技術(shù)的GaN器件開(kāi)發(fā)速度,預(yù)計(jì)于2021年9月即可開(kāi)始提供產(chǎn)品樣品。采用ROHM自有結(jié)構(gòu),將柵極-源極間額定電壓提高至8V.

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