IPS161HF可以安全地驅(qū)動另一端接地的復(fù)雜阻性容性和感性負(fù)載
發(fā)布時(shí)間:2021/8/21 18:15:02 訪問次數(shù):237
IPS160HF和IPS161HF,其導(dǎo)通延遲時(shí)間小于60μs,能夠滿足SIL Class-3的C、D類接口應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)要求。
這兩款產(chǎn)品具有8V-60V的寬輸入電壓范圍,120mΩ的最大開關(guān)導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ,10μs的電壓上升/下降時(shí)間,20μs的傳輸延遲,兼具靈活性、低耗散功率和快速響應(yīng)。
升級的診斷功能可以指示開路負(fù)載,過流關(guān)斷和過熱關(guān)閉,簡化安全需求型的功能設(shè)計(jì)。
IPS160HF和IPS161HF可以安全地驅(qū)動另一端接地的復(fù)雜阻性、容性和感性負(fù)載,如電磁閥、繼電器和燈具。

制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: RS-232接口集成電路
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-28
系列: MAX3237E
數(shù)據(jù)速率: 1000 kb/s
激勵(lì)器數(shù)量: 5 Driver
接收機(jī)數(shù)量: 3 Receiver
電源電壓-最大: 5.5 V
電源電壓-最小: 3 V
工作電源電流: 2 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
商標(biāo): Texas Instruments
工作電源電壓: 3.3 V, 5 V
產(chǎn)品類型: RS-232 Interface IC
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: Interface ICs
單位重量: 117.500 mg

采用這些領(lǐng)先氮化鎵器件的應(yīng)用十分廣闊,包括D類音頻放大器、同步整流器、太陽能最大功率點(diǎn)跟蹤器(MPPT),DC/DC轉(zhuǎn)換器(硬開關(guān)和諧振式),及多電平高壓轉(zhuǎn)換器。
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%,而性能卻倍增。
與基準(zhǔn)硅器件相比,這兩款氮化鎵器件的性能更高.EPC2215的導(dǎo)通阻抗降低33%,但尺寸卻縮小15倍。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
IPS160HF和IPS161HF,其導(dǎo)通延遲時(shí)間小于60μs,能夠滿足SIL Class-3的C、D類接口應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)要求。
這兩款產(chǎn)品具有8V-60V的寬輸入電壓范圍,120mΩ的最大開關(guān)導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ,10μs的電壓上升/下降時(shí)間,20μs的傳輸延遲,兼具靈活性、低耗散功率和快速響應(yīng)。
升級的診斷功能可以指示開路負(fù)載,過流關(guān)斷和過熱關(guān)閉,簡化安全需求型的功能設(shè)計(jì)。
IPS160HF和IPS161HF可以安全地驅(qū)動另一端接地的復(fù)雜阻性、容性和感性負(fù)載,如電磁閥、繼電器和燈具。

制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: RS-232接口集成電路
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-28
系列: MAX3237E
數(shù)據(jù)速率: 1000 kb/s
激勵(lì)器數(shù)量: 5 Driver
接收機(jī)數(shù)量: 3 Receiver
電源電壓-最大: 5.5 V
電源電壓-最小: 3 V
工作電源電流: 2 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
商標(biāo): Texas Instruments
工作電源電壓: 3.3 V, 5 V
產(chǎn)品類型: RS-232 Interface IC
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: Interface ICs
單位重量: 117.500 mg

采用這些領(lǐng)先氮化鎵器件的應(yīng)用十分廣闊,包括D類音頻放大器、同步整流器、太陽能最大功率點(diǎn)跟蹤器(MPPT),DC/DC轉(zhuǎn)換器(硬開關(guān)和諧振式),及多電平高壓轉(zhuǎn)換器。
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%,而性能卻倍增。
與基準(zhǔn)硅器件相比,這兩款氮化鎵器件的性能更高.EPC2215的導(dǎo)通阻抗降低33%,但尺寸卻縮小15倍。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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