HPM6000 MCU全系列產(chǎn)品，包括多核的HPM6750、單核的HPM6450，及入門級的HPM6120版本，都具有雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算及強(qiáng)大的DSP擴(kuò)展指令，內(nèi)置2MB SRAM，以及豐富的多媒體功能、馬達(dá)控制模塊、通訊接口及安全加密。

Allegro的電流傳感器可以檢測到過流狀況，而這種過流通常由過載電機(jī)引起，因而該檢測功能可增加額外的安全保護(hù)，防止對設(shè)備或人員造成傷害。電流傳感器還可用于監(jiān)控電機(jī)電流波形，并提供預(yù)測性維護(hù)和高級診斷信息，從而提高電機(jī)的整體效率和壽命。

再就是耐沖擊的能力;隨著時(shí)間和溫度變化，傳感器的穩(wěn)定性;整個(gè)測量范圍內(nèi)的線性度;刻度因子的平坦度;物理尺寸;傳感器是否能自檢等等。

這些都是MEMS振動(dòng)傳感器的優(yōu)點(diǎn)。還有最重要的一點(diǎn)就是價(jià)格，由于壓電傳感器需要手工制作，既無法保證一致性，又使得其成本很高，很難享受規(guī)模效應(yīng)所帶來的好處.

在EV車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用的激增，顯著推動(dòng)了SiC需求的增長。電動(dòng)汽車逆變器、650V設(shè)備的新興應(yīng)用以及服務(wù)器電源和5G電信整流器等的應(yīng)用有望推動(dòng)SiC需求的快速增長。

SiC器件的優(yōu)點(diǎn)與IGBT相比，使用SiC FET的優(yōu)勢已得到充分證明。較寬的4H-SiC帶隙允許形成電壓阻擋層，理想情況下，其電阻要比相應(yīng)的單極硅器件小100倍。

SiC的導(dǎo)熱系數(shù)也是硅的3倍�，F(xiàn)在，可在650-1700V范圍內(nèi)以平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)提供性能不斷提高的SiC MOSFET，但仍然存在MOS溝道遷移率低的問題。

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