在NAND閃存的“多位/單元”技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，將使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。

在32納米技術(shù)時(shí)代，Toshiba已經(jīng)以業(yè)界最小晶片尺寸實(shí)現(xiàn)了3位/單元的32 Gb芯片，體積小于目前市場(chǎng)常見(jiàn)的采用43nm技術(shù)的2位/單元16Gb芯片。這款前沿的芯片將于2009下半年開(kāi)始量產(chǎn)。該公司還采用43nm處理工藝組裝了業(yè)界首款64Gb芯片，可用于4位/單元技術(shù)。

4位/單元適用用于超多位編程技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)64Gb存儲(chǔ)容量、7.8MB/s的寫(xiě)入速度而不會(huì)增加芯片尺寸。

寬輸入電壓范圍：9V 至 32V (40V 絕對(duì)最大值)

可編程充電電流高達(dá) 2A

兩節(jié)鋰離子/聚合物電池充電能力，8.2V 充電電壓

用戶可選終止：C/10 或可編程終止定時(shí)器

動(dòng)態(tài)充電速率編程/軟啟動(dòng)引腳

可編程輸入電流限制

1MHz 開(kāi)關(guān)頻率允許使用小型外部組件

±0.5% 充電電壓準(zhǔn)確度

在矢網(wǎng)分析儀與微波暗室中測(cè)試天線參數(shù)性能,天線效率與遠(yuǎn)場(chǎng)增益。

由以上雙層2X2陣列的測(cè)試圖可以看出，該天線的匹配良好，帶寬1.2GHz,加上微波暗室測(cè)試時(shí)自帶電纜的1dB插損，10GHz處的增益為10.7dB。

一旦充電終止，LT3650-8.2 就自動(dòng)進(jìn)入可將輸入電源電流降至 85uA 的低電流備用模式。在停機(jī)時(shí)，輸入偏置電流降至 15uA。

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