源極底置封裝使RDS(on)降低30％電磁抗擾度和電阻要求
發(fā)布時間:2022/2/16 22:37:12 訪問次數(shù):249
新一代OptiMOS™ 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
相較于最先進(jìn)的漏極底置封裝，采用源極底置封裝可使RDS(on)降低30％。
在標(biāo)準(zhǔn)門極布局中，電氣連接的位置保持不變，方便將標(biāo)準(zhǔn)的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝；而在中央門極布局封裝中，門極引腳被移到中心位置以便于多個MOSFET并聯(lián)。這兩種型號都能夠優(yōu)化PCB布局，使得寄生效應(yīng)降低，PCB損耗改進(jìn)，且易于使用。
與驍龍730G相比，驍龍750G集成的Qualcomm® Adreno™ 619 GPU能夠提供高達(dá)10%圖形渲染速度提升，并帶來栩栩如生的出色畫質(zhì)。
玩家可以在多人游戲中盡享5G優(yōu)勢，或利用5G云游戲平臺將他們喜愛的游戲傳輸?shù)街悄苁謾C(jī)上。
APIX3設(shè)備對APIX2及更低版本向下兼容.并且像這些設(shè)備一樣，為電纜老化和溫度波動提供補(bǔ)償功能。
APIX3的一個新功能是將APIX3鏈路自動校準(zhǔn)(鏈路訓(xùn)練)到所使用的電纜介質(zhì).這確保了非常穩(wěn)定的優(yōu)化傳輸。憑借其眾多診斷功能，APIX3支持安全相關(guān)應(yīng)用，并滿足汽車行業(yè)對電磁抗擾度和電阻的要求。
新型APIX3芯片的典型應(yīng)用是信息娛樂和娛樂系統(tǒng),及車輛中的組合儀表和平視顯示器。
新一代OptiMOS™ 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
相較于最先進(jìn)的漏極底置封裝，采用源極底置封裝可使RDS(on)降低30％。
在標(biāo)準(zhǔn)門極布局中，電氣連接的位置保持不變，方便將標(biāo)準(zhǔn)的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝；而在中央門極布局封裝中，門極引腳被移到中心位置以便于多個MOSFET并聯(lián)。這兩種型號都能夠優(yōu)化PCB布局，使得寄生效應(yīng)降低，PCB損耗改進(jìn)，且易于使用。
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APIX3設(shè)備對APIX2及更低版本向下兼容.并且像這些設(shè)備一樣，為電纜老化和溫度波動提供補(bǔ)償功能。
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新型APIX3芯片的典型應(yīng)用是信息娛樂和娛樂系統(tǒng),及車輛中的組合儀表和平視顯示器。
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