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整流和準諧振(QR)/CCM反激式控制器廣泛電壓范圍

發(fā)布時間:2022/2/22 21:18:43 訪問次數(shù):1149

電功率公式P=IU可知,要想提升充電功率,要么提升電壓,要么提升電流。而在功率相同的情況下,電壓越高,通過汽車線路的電流越小,由焦耳定律Q=I2Rt可知,產(chǎn)生的功率損耗也就越小。

因此,提高電池組電壓,既可以減小能量/功耗損失,同時又能增加電機驅動效率。這也就是為什么越來越多的汽車制造商將“提高母線電壓”作為自己下一階段的發(fā)展方向。

全新IC內部還集成了同步整流和準諧振(QR)/CCM反激式控制器,可以實現(xiàn)90%以上的效率,輕松滿足最嚴格的OEM廠商要求。

在b范圍和反推方式,功率控制桿和螺旋槳控制組件直接互連,燃氣發(fā)生器轉速按照預定計劃隨著螺旋槳槳葉角逐漸減小而增加。

功率桿位置高于范圍,螺旋槳控制桿操作螺旋槳控制組件。因此,決定和限制螺旋槳被控制的轉速范圍。

第3個桿,稱為啟動控制桿用于選擇高或低慢車轉速范圍和切斷燃油供給使發(fā)動機停車。燃油噴嘴螺旋槳反饋滑環(huán),選擇活門燃油泄放由自由渦輪傳動壓氣機,排氣壓力傳感器發(fā)動機供給。

飛機供給螺旋槳控制桿啟動控制桿功率控制桿增壓泵,PT6發(fā)動機和螺旋槳控制系統(tǒng)。

碳化硅MOSFET不僅適合于從600V到10kV的廣泛電壓范圍,同時具備單極型器件的卓越開關性能。

采用1700V耐壓的碳化硅之后,高度集成的InnoSwitch IC可將整個電源的元件數(shù)量減少多達50%,大量節(jié)省了電路板空間。現(xiàn)在我們能以更少的元件來做應急電源的設計,這將大幅提高汽車的安全性和系統(tǒng)的可靠性。

雖然SiC材料價格成本偏高,但其對提高效率和續(xù)航里程,以及對增強系統(tǒng)可靠性等方面,均有著明顯的優(yōu)勢。因此從這個角度來看,采用碳化硅MOSFET還是比較劃算的。


電功率公式P=IU可知,要想提升充電功率,要么提升電壓,要么提升電流。而在功率相同的情況下,電壓越高,通過汽車線路的電流越小,由焦耳定律Q=I2Rt可知,產(chǎn)生的功率損耗也就越小。

因此,提高電池組電壓,既可以減小能量/功耗損失,同時又能增加電機驅動效率。這也就是為什么越來越多的汽車制造商將“提高母線電壓”作為自己下一階段的發(fā)展方向。

全新IC內部還集成了同步整流和準諧振(QR)/CCM反激式控制器,可以實現(xiàn)90%以上的效率,輕松滿足最嚴格的OEM廠商要求。

在b范圍和反推方式,功率控制桿和螺旋槳控制組件直接互連,燃氣發(fā)生器轉速按照預定計劃隨著螺旋槳槳葉角逐漸減小而增加。

功率桿位置高于范圍,螺旋槳控制桿操作螺旋槳控制組件。因此,決定和限制螺旋槳被控制的轉速范圍。

第3個桿,稱為啟動控制桿用于選擇高或低慢車轉速范圍和切斷燃油供給使發(fā)動機停車。燃油噴嘴螺旋槳反饋滑環(huán),選擇活門燃油泄放由自由渦輪傳動壓氣機,排氣壓力傳感器發(fā)動機供給。

飛機供給螺旋槳控制桿啟動控制桿功率控制桿增壓泵,PT6發(fā)動機和螺旋槳控制系統(tǒng)。

碳化硅MOSFET不僅適合于從600V到10kV的廣泛電壓范圍,同時具備單極型器件的卓越開關性能。

采用1700V耐壓的碳化硅之后,高度集成的InnoSwitch IC可將整個電源的元件數(shù)量減少多達50%,大量節(jié)省了電路板空間,F(xiàn)在我們能以更少的元件來做應急電源的設計,這將大幅提高汽車的安全性和系統(tǒng)的可靠性。

雖然SiC材料價格成本偏高,但其對提高效率和續(xù)航里程,以及對增強系統(tǒng)可靠性等方面,均有著明顯的優(yōu)勢。因此從這個角度來看,采用碳化硅MOSFET還是比較劃算的。


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