FluxLink技術(shù)檢測輸出電壓光電二極管精確地嵌入硅片
發(fā)布時間:2022/2/22 21:27:08 訪問次數(shù):374
0.56μm超小像素尺寸的同時提供高量子效率(QE)性能、優(yōu)異的四相位檢測(QPD)自動對焦技術(shù)和低功耗.這項超小像素技術(shù)將會滿足多攝像頭移動設(shè)備對高分辨率和小像素間距圖像傳感器日益增長需求。
在像素尺寸已經(jīng)小于紅光波長的情況下,像素壓縮不再受光波長限制。該像素尺寸基于豪威集團的PureCel®Plus-S堆疊技術(shù),同時采用了深光電二極管技術(shù)將光電二極管精確地嵌入硅片深處。
憑借這些先進的技術(shù),豪威集團開發(fā)出了超小像素尺寸,在相同的光學(xué)格式下可以實現(xiàn)更高的分辨率,并進一步使圖像傳感器具有更多ISP功能,更低的功耗和更高的讀取速度。
與同類膜芯相比,陶瓷膜芯的運行通量高15%~30%,過濾阻力小;
能耗較低,易清洗;
陶瓷膜系統(tǒng)能夠連續(xù)進料,連續(xù)出濾渣和濾液,實現(xiàn)全自動控制,具有精確濃縮和加水洗滌,定期反洗功能;
耐高溫,適用于高溫過程過濾;
耐酸堿、耐有機溶劑及抗氧化性好;
濃縮倍數(shù)高,能降低用水量,減少廢水排放;
膜芯使用壽命長。
InnoSwitch3-AQ 1700V器件采用了緊湊的InSOP™-24D封裝,使用FluxLink™反饋鏈路,可以為次級側(cè)控制提供高達5000V有效值電壓的加強絕緣。
FluxLink技術(shù)可直接檢測輸出電壓,其優(yōu)勢在于可提供高精度的控制,以及極其快速的動態(tài)響應(yīng)特性。當需要播放語音提醒時,通過開發(fā)板控制與驅(qū)動板連接的Io口上的高低電平來實現(xiàn)。
遠程提醒模塊主要通過sTM32F407核心板上的EsP8622wi-Fi模塊完成,開發(fā)板聯(lián)網(wǎng),接入阿里云平臺,在手機上創(chuàng)建App程序,向監(jiān)護人實時顯示設(shè)備使用狀態(tài),實現(xiàn)遠程監(jiān)控功能。
0.56μm超小像素尺寸的同時提供高量子效率(QE)性能、優(yōu)異的四相位檢測(QPD)自動對焦技術(shù)和低功耗.這項超小像素技術(shù)將會滿足多攝像頭移動設(shè)備對高分辨率和小像素間距圖像傳感器日益增長需求。
在像素尺寸已經(jīng)小于紅光波長的情況下,像素壓縮不再受光波長限制。該像素尺寸基于豪威集團的PureCel®Plus-S堆疊技術(shù),同時采用了深光電二極管技術(shù)將光電二極管精確地嵌入硅片深處。
憑借這些先進的技術(shù),豪威集團開發(fā)出了超小像素尺寸,在相同的光學(xué)格式下可以實現(xiàn)更高的分辨率,并進一步使圖像傳感器具有更多ISP功能,更低的功耗和更高的讀取速度。
與同類膜芯相比,陶瓷膜芯的運行通量高15%~30%,過濾阻力小;
能耗較低,易清洗;
陶瓷膜系統(tǒng)能夠連續(xù)進料,連續(xù)出濾渣和濾液,實現(xiàn)全自動控制,具有精確濃縮和加水洗滌,定期反洗功能;
耐高溫,適用于高溫過程過濾;
耐酸堿、耐有機溶劑及抗氧化性好;
濃縮倍數(shù)高,能降低用水量,減少廢水排放;
膜芯使用壽命長。
InnoSwitch3-AQ 1700V器件采用了緊湊的InSOP™-24D封裝,使用FluxLink™反饋鏈路,可以為次級側(cè)控制提供高達5000V有效值電壓的加強絕緣。
FluxLink技術(shù)可直接檢測輸出電壓,其優(yōu)勢在于可提供高精度的控制,以及極其快速的動態(tài)響應(yīng)特性。當需要播放語音提醒時,通過開發(fā)板控制與驅(qū)動板連接的Io口上的高低電平來實現(xiàn)。
遠程提醒模塊主要通過sTM32F407核心板上的EsP8622wi-Fi模塊完成,開發(fā)板聯(lián)網(wǎng),接入阿里云平臺,在手機上創(chuàng)建App程序,向監(jiān)護人實時顯示設(shè)備使用狀態(tài),實現(xiàn)遠程監(jiān)控功能。
熱門點擊
- 傳統(tǒng)無線Ad-hoc網(wǎng)絡(luò)的協(xié)議并不能直接用于
- 四個10A和四個16A輸出電流表面封裝(ST
- FluxLink技術(shù)檢測輸出電壓光電二極管精
- 延時區(qū)分兩種不同過電壓和喘振線有足夠的距離
- 65W PD快充碳化硅方案設(shè)計電路板即可直接
- 除顫保護及4KV隔離等ECG應(yīng)用避免了手機印
- 傳統(tǒng)單側(cè)模板支架技術(shù)出現(xiàn)的問題得到了根本性解
- 8英寸硅基氮化鎵雙內(nèi)核處理器采用300MHz
- 三端正電壓調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)外部指示器
- 壓縮和膨脹過程中工質(zhì)與各部件之間的熱量交換