導(dǎo)入的Zonal架構(gòu)，要在上面這一堆產(chǎn)品序列里面做兼容，我要考慮如何才能配置更好。我的理解全球來看，48V是最低配置，如果使用Zonal架構(gòu)，在系統(tǒng)中圍繞60V安全電壓一下提供48V電壓并將該電力分配給Zonal控制器。然后Zonal控制器配置電壓轉(zhuǎn)換模塊向12VLoad和48V Load。

Zonal控制器的供電如果往48V電氣架構(gòu)遷移，是簡(jiǎn)化了整體的電源拓?fù)�。目前的車輛存在多個(gè)電池：

48V：一般是一個(gè)48V電池+一個(gè)12V電池

HEV：一般是一個(gè)200-300V電池+一個(gè)12V電池

PHEV：一般是350V電池+一個(gè)12V電池

BEV：400V和800V能量電池和12V電池

量準(zhǔn)宣布完成數(shù)千萬美元融資，加速NanoSPR生物芯片和檢測(cè)儀器研發(fā)生產(chǎn)

臺(tái)積電獲得大量7nm以下芯片訂單

Porotech獲2000萬美元融資，專注MicroLED微顯示技術(shù)和新型納米多孔氮化鎵材料技術(shù)

博世將追加2.5億歐元投資用于提升芯片產(chǎn)能

追加投資2.5億歐元（2.825億美元），用于擴(kuò)建其位于德國(guó)羅伊特林根工廠的芯片生產(chǎn)設(shè)施。

NFAM2065L4B是全集成逆變器功率模塊,包括有獨(dú)立的高邊柵極驅(qū)動(dòng)器,六個(gè)IGBT和一個(gè)溫度傳感器(VTS),適合于驅(qū)動(dòng)永磁同步馬達(dá)(PMSM),無刷DC(BLDC)馬達(dá)和AC異步馬達(dá).

IGBT配置成三相橋式,具有用于下臂的分立發(fā)射極連接,以獲得選擇控制算法的最大限度靈活性.

功率級(jí)具有內(nèi)置欠壓鎖住保護(hù)(UVP),在高邊柵極增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)中提供內(nèi)部升壓二極管.器件是具有單獨(dú)驅(qū)動(dòng)器的三相650V 20A IGBT模塊,有源邏輯接口,滿足UL1557認(rèn)證(文件號(hào)No.E339285),器件是無Pb和RoHS兼容.