7nm以下工藝制造的大量訂單。消息人士稱，幾乎所有能夠開發(fā)3nm芯片設(shè)計并能夠承受不斷增加的代工成本的供應(yīng)商都已向臺積電下訂單。這家純代工廠已經(jīng)看到客戶通過預(yù)付款排隊等待其可用的3nm FinFET工藝能力的場景。

Porotech獲2000萬美元融資，專注MicroLED微顯示技術(shù)和新型納米多孔氮化鎵材料技術(shù)

多孔氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體材料開發(fā)商和MicroLED技術(shù)提供商Porotech宣布完成A輪融資，由阿米巴資本領(lǐng)投，三星風(fēng)投，弘暉基金，及個人投資人跟投。

由于晶圓代工產(chǎn)能緊缺，不少網(wǎng)絡(luò)通信芯片的主流廠商等不及成熟制程擴產(chǎn)，因此變更產(chǎn)品的設(shè)計方案，提前升級使用臺積電的6nm制程，并且重金包下產(chǎn)能，甚至有網(wǎng)絡(luò)通信芯片大廠已在去年年底與代工廠簽下三年期以上的長約。

5G與高性能計算（HPC）等數(shù)字化轉(zhuǎn)型方向是臺積電今后業(yè)績提升的主要驅(qū)動力之一，如今，已經(jīng)清晰可見網(wǎng)絡(luò)通信芯片客戶將制程技術(shù)從28nm升級到16nm、并進一步升級至6nm的趨勢。

三星擁有能夠與臺積電相抗衡的技術(shù)，但由于三星在智能手機業(yè)務(wù)上與蘋果有競爭關(guān)系.

高效率的DC-DC就可以保證動態(tài)與靜態(tài)的電源效率，可實際上你會發(fā)現(xiàn)，在低功耗uA級別電流的層面上，目前市面上的DC-DC芯片很難同時兼顧輕重載效率。

一個普通的Buck DC-DC芯片，可以在電流消耗100mA的條件下輕而易舉地達到85%以上的效率，然而在50uA的情況下，其轉(zhuǎn)化效率通常遠低于50%.