三星最新的移動DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）和NAND接口,比起上一代產(chǎn)品,三星uMCP能以極低的功耗,提供極快的速度和大存儲容量。

這一產(chǎn)品組合，能讓更多的消費者在中端設(shè)備上，體驗眾多的5G應用；而以往這些應用只能在高端旗艦機型上使用，諸如高階攝影、圖形密集型游戲和增強現(xiàn)實（AR）。

與之前基于LPDDR4X的UFS2.2的解決方案相比，全新uMCP的DRAM性能提升50%以上，從17GB/s提升到25GB/s；NAND閃存性能翻倍，從1.5GB/s提升至3GB/s，從而打造旗艦性能。

模塊分為高核心數(shù)(HCC)和低核心數(shù)(LCC)版本，對應不同型號的英特爾至強D處理器：

conga-HPC/sILH COM-HPC Server 尺寸E模塊將配備5個不同的英特爾至強D-2700處理器，其核心數(shù)可在4-20之間選擇。

8個DIMM插槽，最多可安裝1TB的2933 MT/s高速DDR4內(nèi)存 (有ECC功能)；32個PCIe Gen 4和16個PCIe Gen 3通道且速率達100GbE、具備實時功能、支持TSN和TCC的2.5 Gb以太網(wǎng)卡。處理器的基礎(chǔ)功率在65到118W之間。

為確�？焖倬W(wǎng)絡(luò)通信，它們具有100GbE速率和支持TSN/TCC的2.5Gb以太網(wǎng)卡。處理器的基礎(chǔ)功率在40到67W之間。

上述兩款模塊均具有16個PCIe Gen 4和16個 PCIe Gen3通道。

監(jiān)控型EEC的許多特點應用在FADEC之中。此外,在發(fā)動機控制方面,FADEC的功能包括輸出參數(shù)(推力或功率)控制,燃油(包括啟動、加速、減速、穩(wěn)態(tài)的)流量控制,壓氣機可調(diào)靜子葉片(ⅤsⅤ)和可調(diào)放氣活門(ⅤBⅤ)控制,渦輪間隙主動控制(ACC)。