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64位RISC-V內(nèi)核構建的通用MPU存儲和性能計算應用

發(fā)布時間:2022/3/3 18:00:14 訪問次數(shù):122

Microchip的控制器解決方案可以完美適配我們的各種TLC和QLC固態(tài)硬盤以及未來的NAND技術。它為下一代云和企業(yè)架構提供了強大的功能、可擴展性和安全性。

NVMe 4016控制器兼容NVMe 2.0,不僅支持分區(qū)命名空間(ZNS),云開放計算平臺(OCP)等各種最新存儲和性能計算應用,靈活的架構也讓客戶能跟上未來NVMe規(guī)范的持續(xù)改進。

在可管理性、電源、性能和散熱方面滿足超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心環(huán)境對可擴展效率的嚴苛需求一直是OCP數(shù)據(jù)中心NVMe固態(tài)硬盤規(guī)范和EDSFF E1.S等行業(yè)標準的重點。

電嘴應經(jīng)常檢查是否牢固、損壞、漏氣和高壓導線連接可靠。當拆卸電嘴時,應檢查是否有熱損壞、裂紋和雷管表面腐蝕。拆下的電嘴應檢查中央電極尺寸和殼體電極的燒蝕,并按手冊規(guī)定決定是否更換。

通常電嘴是不清洗的,但是如果積碳使得不可能檢查雷管時,可去除積碳,小心不要損壞雷管表面。當必需安裝新電嘴時,制造廠有時規(guī)定應檢查電嘴伸入燃燒室的深度。這可借助類似于空塞子的專用工具實現(xiàn)并通過選擇適當厚度的墊片放在電嘴殼體下面做調(diào)整。

做好防止摔傷的保護,觸電者處在高空中時,應使之在脫離電源的同時,做好防止摔傷的保護措施。

64位RISC-V CPU內(nèi)核的RZ/Five通用微處理器(MPU)——RZ/Five采用Andes AX45MP,基于RISC-V CPU指令集架構(ISA),增強了瑞薩現(xiàn)有基于Arm® CPU內(nèi)核的MPU陣容,擴充了客戶的選擇,并在產(chǎn)品開發(fā)過程中提供更大靈活性。

RZ/Five是市場上率先采用基于Andes公司64位RISC-V內(nèi)核構建的通用MPU。

Andes曾與瑞薩在32位RISC-V產(chǎn)品中成功合作,現(xiàn)又攜手推出64位AX45MP產(chǎn)品。我認為,這一進展將推動全球市場,讓客戶的設備得以盡早采用Andes先進的RISC-V處理器系列產(chǎn)品。


Microchip的控制器解決方案可以完美適配我們的各種TLC和QLC固態(tài)硬盤以及未來的NAND技術。它為下一代云和企業(yè)架構提供了強大的功能、可擴展性和安全性。

NVMe 4016控制器兼容NVMe 2.0,不僅支持分區(qū)命名空間(ZNS),云開放計算平臺(OCP)等各種最新存儲和性能計算應用,靈活的架構也讓客戶能跟上未來NVMe規(guī)范的持續(xù)改進。

在可管理性、電源、性能和散熱方面滿足超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心環(huán)境對可擴展效率的嚴苛需求一直是OCP數(shù)據(jù)中心NVMe固態(tài)硬盤規(guī)范和EDSFF E1.S等行業(yè)標準的重點。

電嘴應經(jīng)常檢查是否牢固、損壞、漏氣和高壓導線連接可靠。當拆卸電嘴時,應檢查是否有熱損壞、裂紋和雷管表面腐蝕。拆下的電嘴應檢查中央電極尺寸和殼體電極的燒蝕,并按手冊規(guī)定決定是否更換。

通常電嘴是不清洗的,但是如果積碳使得不可能檢查雷管時,可去除積碳,小心不要損壞雷管表面。當必需安裝新電嘴時,制造廠有時規(guī)定應檢查電嘴伸入燃燒室的深度。這可借助類似于空塞子的專用工具實現(xiàn)并通過選擇適當厚度的墊片放在電嘴殼體下面做調(diào)整。

做好防止摔傷的保護,觸電者處在高空中時,應使之在脫離電源的同時,做好防止摔傷的保護措施。

64位RISC-V CPU內(nèi)核的RZ/Five通用微處理器(MPU)——RZ/Five采用Andes AX45MP,基于RISC-V CPU指令集架構(ISA),增強了瑞薩現(xiàn)有基于Arm® CPU內(nèi)核的MPU陣容,擴充了客戶的選擇,并在產(chǎn)品開發(fā)過程中提供更大靈活性。

RZ/Five是市場上率先采用基于Andes公司64位RISC-V內(nèi)核構建的通用MPU。

Andes曾與瑞薩在32位RISC-V產(chǎn)品中成功合作,現(xiàn)又攜手推出64位AX45MP產(chǎn)品。我認為,這一進展將推動全球市場,讓客戶的設備得以盡早采用Andes先進的RISC-V處理器系列產(chǎn)品。


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