7納米的3D封裝技術(shù)無(wú)功電流不均衡敏感電路超過(guò)600億晶體管
發(fā)布時(shí)間:2022/3/23 13:16:37 訪問(wèn)次數(shù):319
3D封裝技術(shù)讓7nm的芯片,比5nm還要強(qiáng)。3月3日,英國(guó)的AI芯片公司Graphcore發(fā)布了一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow,采用的就是臺(tái)積電7納米的3D封裝技術(shù),也是全球首顆3D封裝的芯片。這顆芯片的性能較上代提升了40%、功耗提升了16%,而單個(gè)封裝中的晶體管數(shù)量超過(guò)了600億晶體管。
按照業(yè)內(nèi)人士的說(shuō)法,如果這顆芯片采用5nm工藝,未必比現(xiàn)在強(qiáng),也就是說(shuō)在采用了3D封裝技術(shù)后,7nm其實(shí)比5nm更強(qiáng)了。3D封裝技術(shù)以前的芯片封裝時(shí),都是單個(gè)Die(硅片)進(jìn)行封裝,要想芯片性能好, 要么Die(硅片)的面積更大,要么工藝再提升。
每個(gè)槳葉作為轉(zhuǎn)動(dòng)的翼產(chǎn)生升力拉飛機(jī)向前。所有螺旋槳槳葉有前緣、后緣和弦線。槳葉突起的一面稱(chēng)為葉背,平坦的一面稱(chēng)為葉面。槳葉角是螺旋槳旋轉(zhuǎn)平面和槳葉弦線構(gòu)成的夾角。
螺旋槳槳葉允許改變螺旋槳槳葉角的螺旋槳由一組夾環(huán)固定到槳轂組件,每個(gè)葉根安裝有粗端或凸肩,同槳轂組件的槽配合。在某些情況下,葉柄可能延長(zhǎng)超過(guò)槳轂組件進(jìn)入氣流,在這種情槳葉角葉面.
一般零件圖的繪制是直接指導(dǎo)制造和檢驗(yàn)零件的圖樣.一張完整的零件圖應(yīng)包括:一組表達(dá)零件形狀的圖形;一套正確,完整,清晰,合理的尺寸;必要的技術(shù)要求;完整的標(biāo)題欄。

敏感電路也可以敏感發(fā)電機(jī)的欠勵(lì)磁狀態(tài),將敏感到的信號(hào)接到欠勵(lì)磁保護(hù)線路的放大電路和執(zhí)行電路中去,即可起到欠勵(lì)磁保護(hù)作用。
與過(guò)勵(lì)磁保護(hù)線路一樣,雖然欠勵(lì)磁保護(hù)線路也可以多種多樣,但基本原理與低電壓保護(hù)線路類(lèi)似,所不同的是欠勵(lì)磁保護(hù)動(dòng)作在低電壓保護(hù)之前,即延時(shí)時(shí)間要比低電壓保護(hù)電路的短些.
3D封裝技術(shù)讓7nm的芯片,比5nm還要強(qiáng)。3月3日,英國(guó)的AI芯片公司Graphcore發(fā)布了一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow,采用的就是臺(tái)積電7納米的3D封裝技術(shù),也是全球首顆3D封裝的芯片。這顆芯片的性能較上代提升了40%、功耗提升了16%,而單個(gè)封裝中的晶體管數(shù)量超過(guò)了600億晶體管。
按照業(yè)內(nèi)人士的說(shuō)法,如果這顆芯片采用5nm工藝,未必比現(xiàn)在強(qiáng),也就是說(shuō)在采用了3D封裝技術(shù)后,7nm其實(shí)比5nm更強(qiáng)了。3D封裝技術(shù)以前的芯片封裝時(shí),都是單個(gè)Die(硅片)進(jìn)行封裝,要想芯片性能好, 要么Die(硅片)的面積更大,要么工藝再提升。
每個(gè)槳葉作為轉(zhuǎn)動(dòng)的翼產(chǎn)生升力拉飛機(jī)向前。所有螺旋槳槳葉有前緣、后緣和弦線。槳葉突起的一面稱(chēng)為葉背,平坦的一面稱(chēng)為葉面。槳葉角是螺旋槳旋轉(zhuǎn)平面和槳葉弦線構(gòu)成的夾角。
螺旋槳槳葉允許改變螺旋槳槳葉角的螺旋槳由一組夾環(huán)固定到槳轂組件,每個(gè)葉根安裝有粗端或凸肩,同槳轂組件的槽配合。在某些情況下,葉柄可能延長(zhǎng)超過(guò)槳轂組件進(jìn)入氣流,在這種情槳葉角葉面.
一般零件圖的繪制是直接指導(dǎo)制造和檢驗(yàn)零件的圖樣.一張完整的零件圖應(yīng)包括:一組表達(dá)零件形狀的圖形;一套正確,完整,清晰,合理的尺寸;必要的技術(shù)要求;完整的標(biāo)題欄。

敏感電路也可以敏感發(fā)電機(jī)的欠勵(lì)磁狀態(tài),將敏感到的信號(hào)接到欠勵(lì)磁保護(hù)線路的放大電路和執(zhí)行電路中去,即可起到欠勵(lì)磁保護(hù)作用。
與過(guò)勵(lì)磁保護(hù)線路一樣,雖然欠勵(lì)磁保護(hù)線路也可以多種多樣,但基本原理與低電壓保護(hù)線路類(lèi)似,所不同的是欠勵(lì)磁保護(hù)動(dòng)作在低電壓保護(hù)之前,即延時(shí)時(shí)間要比低電壓保護(hù)電路的短些.
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