欠勵磁保護(hù)與低電壓保護(hù)開關(guān)應(yīng)用的電磁輻射和損失能效
發(fā)布時間:2022/3/23 17:38:04 訪問次數(shù):251
為了節(jié)省元件,簡化線路,制對象是BTB,而不是GCR,在大多數(shù)飛機(jī)并聯(lián)電源系統(tǒng)中,將欠勵磁保護(hù)與低電壓保護(hù)合用一個信號放大電路,然后將放大了的信號分別輸人不同的延時電路,去控制不同對象的動作。這樣,既不會造成誤動作,又可以起到不同的保護(hù)作用。
勵磁保護(hù)動作選擇性的討論,如前所述,在多臺發(fā)電機(jī)并聯(lián)的系統(tǒng)中,當(dāng)一臺發(fā)電機(jī)產(chǎn)生過(或欠)勵磁故障時,其余正常發(fā)電機(jī)必定會產(chǎn)生欠(或過)勵磁現(xiàn)象。
|△ru|為|△rj|的n倍,從而保證了故障保護(hù)動作的選擇性,使過勵發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的保護(hù)裝置動作。
預(yù)驅(qū)動IC的主要功能如下:
微控制器(uC)和外部功率MOSFET輸出級之間的接口。預(yù)驅(qū)動器IC在微控制器低壓域(通常小于5.5伏)和汽車電池連接系統(tǒng)上的最大40伏之間提供隔離。
為高邊級提供門極過驅(qū)動,以能使用N溝道MOSFET。
監(jiān)控和保護(hù)外部MOSFET和連接的負(fù)載,提高系統(tǒng)的魯棒性和診斷能力。
為導(dǎo)通和關(guān)斷曲線提供特定的交流特性,以最小化開關(guān)應(yīng)用的電磁輻射和損失能效。
需要雙向電機(jī)旋轉(zhuǎn)的應(yīng)用使用外部MOSFET H橋配置——集成H橋以簡化操作。
確保其產(chǎn)品中功能安全(FuSa)的設(shè)計(jì),RISC-V技術(shù)持續(xù)快速發(fā)展,并為創(chuàng)新開辟了新領(lǐng)域。我們將透過為生態(tài)系統(tǒng)及客戶提供專業(yè)的開發(fā)工具和支持,不斷地推動行業(yè)變革。
符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的健全的設(shè)計(jì)方法。用戶可以透過本解決方案,縮短車用產(chǎn)品嚴(yán)格的認(rèn)證流程,加快客戶的上市時間。
IAR Embedded Workbench® for RISC-V是一個功能完整的開發(fā)工具鏈,包括強(qiáng)大的IAR C/C++ Compiler™編譯程序以及綜合調(diào)試器。
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