由于晶圓代工廠交付的數(shù)量難以滿足代工訂單需求，公司對(duì)非內(nèi)存工藝的良率表示懷疑，事實(shí)上基于該良率是可以滿足訂單交付的。

在三星為高通生產(chǎn)的驍龍4nm制程芯片中，良品率僅為35%，并且三星自研的4nm制程SoC獵戶座2200的良率更低。以致于高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用臺(tái)積電生產(chǎn)驍龍8處理器。

在7nm、5nm及4nm節(jié)點(diǎn)上落后了一些，但在接下來的3nm節(jié)點(diǎn)三星更激進(jìn)，要全球首發(fā)GAA晶體管工藝(Gate-all-around)，放棄FinFET晶體管技術(shù)，而臺(tái)積電的3nm工藝依然會(huì)基于FinFET工藝。

在相同的鐵芯形狀下,提高最大磁通密度,可以減少材料用量,從而減輕重量。但磁通密度的增大,將引起磁噪聲的增大和性能的降低。減輕變壓器重量的另外一些措施是從絕緣材料、繞組材料(如用鋁導(dǎo)線代替銅導(dǎo)線)和加工方法來減輕繞組的重量。

k=√2σsin(ωJ+ui)=ue=y

式中守僅表示對(duì)應(yīng)關(guān)系。這種與正弦量相對(duì)應(yīng)的復(fù)數(shù)量通常稱為相量。電壓、電流和電動(dòng)勢(shì)的相量分別用U、r和E表示。

復(fù)數(shù)具有代數(shù)形式、三角形式、指數(shù)形式和極坐標(biāo)形式,例如:

ui=150√2sin(ωt+36.9°)(V)

寫成:y=150e′369°=150∠6,p°=150(cos36.9°+sin36.9°)

= (120+u90) (Ⅴ)