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轉(zhuǎn)矩和機(jī)械特性曲線不能超過單片機(jī)最高時(shí)鐘頻率

發(fā)布時(shí)間:2022/4/5 0:13:12 訪問次數(shù):1191

恒磁通控制方式是指在調(diào)速過程中電動機(jī)定子電壓和頻率的比值保持不變,氣隙中磁通近似恒定。交流電動機(jī)的最大轉(zhuǎn)矩隨頻率的降低而減小。當(dāng)供電電源頻率較高時(shí)。

電動機(jī)最大轉(zhuǎn)矩與額定頻率時(shí)的最大轉(zhuǎn)矩相近,機(jī)械特性曲線斜率也變化不大Ⅱ當(dāng)頻率較低時(shí),最大轉(zhuǎn)矩和機(jī)械特性曲線的斜率就會出現(xiàn)較大的變化,這是由于定子繞組的內(nèi)阻引起的電壓降在低速時(shí)相對影響較大和氣隙磁通變化引起的。

在低頻運(yùn)行時(shí)轉(zhuǎn)矩較小,帶負(fù)載的能力差,所以只適用于調(diào)速范圍不大或轉(zhuǎn)矩隨轉(zhuǎn)速下降而減少的負(fù)載,如風(fēng)機(jī)、水泵等。

專門針對EMC/EMI 性能進(jìn)行優(yōu)化:

頻譜擴(kuò)展 (FSS) 調(diào)制

對稱 VIN 引腳(引腳 2 和引腳 10)

符合 CISPR25 5 類標(biāo)準(zhǔn)

350kHz 至 2.5MHz 可調(diào)開關(guān)頻率 (fSW)

MeshConnect™ 倒裝芯片封裝

附加功能:

電源正常 (PG) 輸出

低壓差 (LDO) 模式

帶打嗝模式的過流保護(hù) (OCP)

采用 QFN-12 (2mmx3mm) 封裝

采用側(cè)面鍍錫封裝

晶振之于單片機(jī)就相當(dāng)于心臟之于人一樣,晶振為單片機(jī)提供一個(gè)“心跳”,不同的是人的心跳只有60-100Hz左右,而單片機(jī)的心跳卻可以很高并且可以根據(jù)需要做出改變(不能超過單片機(jī)最高時(shí)鐘頻率)。

單片機(jī)上電需要進(jìn)行一次復(fù)位,所以單片機(jī)最小系統(tǒng)需要外加上電復(fù)位電路。

單片機(jī)會有一個(gè)復(fù)位引腳,一般為低電壓復(fù)位,即輸入為低電平的時(shí)候,單片機(jī)復(fù)位,上電復(fù)位電路為一個(gè)10K電阻和一個(gè)104電容組成.


恒磁通控制方式是指在調(diào)速過程中電動機(jī)定子電壓和頻率的比值保持不變,氣隙中磁通近似恒定。交流電動機(jī)的最大轉(zhuǎn)矩隨頻率的降低而減小。當(dāng)供電電源頻率較高時(shí)。

電動機(jī)最大轉(zhuǎn)矩與額定頻率時(shí)的最大轉(zhuǎn)矩相近,機(jī)械特性曲線斜率也變化不大Ⅱ當(dāng)頻率較低時(shí),最大轉(zhuǎn)矩和機(jī)械特性曲線的斜率就會出現(xiàn)較大的變化,這是由于定子繞組的內(nèi)阻引起的電壓降在低速時(shí)相對影響較大和氣隙磁通變化引起的。

在低頻運(yùn)行時(shí)轉(zhuǎn)矩較小,帶負(fù)載的能力差,所以只適用于調(diào)速范圍不大或轉(zhuǎn)矩隨轉(zhuǎn)速下降而減少的負(fù)載,如風(fēng)機(jī)、水泵等。

專門針對EMC/EMI 性能進(jìn)行優(yōu)化:

頻譜擴(kuò)展 (FSS) 調(diào)制

對稱 VIN 引腳(引腳 2 和引腳 10)

符合 CISPR25 5 類標(biāo)準(zhǔn)

350kHz 至 2.5MHz 可調(diào)開關(guān)頻率 (fSW)

MeshConnect™ 倒裝芯片封裝

附加功能:

電源正常 (PG) 輸出

低壓差 (LDO) 模式

帶打嗝模式的過流保護(hù) (OCP)

采用 QFN-12 (2mmx3mm) 封裝

采用側(cè)面鍍錫封裝

晶振之于單片機(jī)就相當(dāng)于心臟之于人一樣,晶振為單片機(jī)提供一個(gè)“心跳”,不同的是人的心跳只有60-100Hz左右,而單片機(jī)的心跳卻可以很高并且可以根據(jù)需要做出改變(不能超過單片機(jī)最高時(shí)鐘頻率)。

單片機(jī)上電需要進(jìn)行一次復(fù)位,所以單片機(jī)最小系統(tǒng)需要外加上電復(fù)位電路。

單片機(jī)會有一個(gè)復(fù)位引腳,一般為低電壓復(fù)位,即輸入為低電平的時(shí)候,單片機(jī)復(fù)位,上電復(fù)位電路為一個(gè)10K電阻和一個(gè)104電容組成.


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